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按照视频中的步骤完成的例子,加载在CCS中设置属性时debug的设置没有XXflash setting的那一项,debug的时候报错cortext R4 : GEL Output Memory Map Setup for flash @ Adress 0X0cortext R4: Flash Operation timed out waiting for the algorithm to complete.cortext R4:Trouble Halting Target CPU:(Error _1169 @ 0x8000080)Unable to flush instuction cash .Reset the device ,and retry the operation.If erroe persists,confirm configuration ,Operation cancelled.power-cycle the board,and/or try more reliable JTAG settings(e.g. lower TCLK),
这个是CCS版本的问题,最新的CCSV6版本的工程属性里面的debug项里有Flash setting,早期的版本应该也有这个功能,只是有可能不在这个配置页面。
其实这个设置的初衷是说设置Flash在烧写的时候,不要每次都去擦除整块区间,只需擦除某些必要的空间,这样可以使在线调试时,烧入的时间比较短。
这个不影响系统的功能,如果可以的话,你可以下载一个V6版本的CCS试试,如果不想的话,不设置这个选项也没什么大的问题
如果这个问题不影响的话,出现这样的报错可能会是什么原因导致的呢,是有关于内存分配或者debug的什么设置错误了吗?到现在还是没有解决。而且JTAG是已经测试连接成功的(如图),依旧报错,nowflash直接加载.out文件会报错,代码103
CortexR4: GEL Output: Memory Map Setup for Flash @ Address 0x0CortexR4: Flash operation timed out waiting for the algorithm to complete. Operation cancelled.
CortexR4: Trouble Halting Target CPU: (Error -1169 @ 0x8000080) Unable to flush instruction cache. Reset the device, and retry the operation. If error persists, confirm configuration, power-cycle the board, and/or try more reliable JTAG settings (e.g. lower TCLK). (Emulation package 5.0.872.0)
CortexR4: GEL: File: D:\task\CCS_workspace_v5_3\ADC\Debug\ADC.out: Load failed.
用launch pad跑demo没问题的,只是自己新建工程用CCS5.3烧写出现问题,点击debug后,可以完成build,不能成功load program,此外自带的demo输出的.out文件直接使用nowflash烧写会报错,错误代码103
这样吧,方便的话,你能够提供你自己建立的CCS5.3的工程文件。或者是贴一下你在属性里面的各个配置。
另外可以的话,建议你下载最新版的CCSV6来进行工程的开发。
谢谢
谢谢你提供的工程和截图。 我跑了一下你给的例程,它在我的电脑上的CCV6上面能够正常工作,程序能烧写到我的RM48的板子上,能够在线debug。
如果可以的话,建议你采用新版的CCSV6测试一下。
谢谢