关于MSP430F2131的flash区写数据写入错误的问题讨论

那您 “flash区写数据写入错误” 的芯片在运行其他程序时是否正常？比如

www.ti.com/.../getliterature.tsp

内的

msp430x21x1_flashwrite_03.c Flash In-System Programming, Copy SegC to SegD
msp430x21x1_flashwrite_04.c Flash In-System Programming w/ EEI, Copy SegC to SegD

或者其他程序

请问该芯片出现这种情况的概率大约是多少？

msp430x21x1_flashwrite_03.c Flash In-System Programming, Copy SegC to SegD
msp430x21x1_flashwrite_04.c Flash In-System Programming w/ EEI, Copy SegC to SegD
我用这两个文件烧写进出问题的MCU中，发现一直卡在这个While（1）中；
if (CALBC1_1MHZ==0xFF)// If calibration constants erased
{
while(1); // do not load, trap CPU!!
}
但是也有可能是我的时钟设置不正确，硬件上面用的是12Mhz的外部晶振。
问题样机越来越多，刚刚又有一台之前能正常工作，在老化过程中又出现这种问题。就是在正常运行一段时间后，我写到flash中的功能性校准参数被更改了，导致我后面显示出来的数据不正常。按道理来说我进行读写操作之后，相关的内存区已经被LOCK了，但是在正常运行中这个内存区的数据莫名的更改了！不知道是不是MCU的性能问题还是什么问题。
下面是我的信心读写的程序；
/*将信息写入信息区FLASH*/
void SaveSysPara(void)
{
UINT8 *Point;
UINT8 i;

ParaRW.Item.Shift1 = Sensor.Shift[CH1];
ParaRW.Item.Shift2 = Sensor.Shift[CH2];

DisableInterrupt();

Point = (void *)0x1040; // Initialize Flash pointer
FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit
FCTL1 = FWKEY + ERASE;//+EEI; // Set Erase bit, allow
*Point = 0; // Dummy write to erase Flash seg

FCTL1 = FWKEY + WRT;

for(i=0;i<PARA_SIZE;i++)
*Point++ = ParaRW.Array[i];

FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit
FCTL3 = FWKEY + LOCK; // Set LOCK bit

EnableInterrupt();

}

/*读取信息区FLASH信息*/
void GetSysPara(void)
{
UINT8 *Point;
UINT8 i;

DisableInterrupt();

Point = (void *)0x1040;
for(i=0;i<PARA_SIZE;i++)
ParaRW.Array[i] = *Point++;

if(ParaRW.Array[0] == 0xFF && ParaRW.Array[1] == 0xFF){
ParaRW.Item.Shift1 =0;
ParaRW.Item.Shift2 =0;
ParaRW.Item.CalTempK =-4.011;
ParaRW.Item.CalTempB =7907;
ParaRW.Item.CalHumiK =-4.011;
ParaRW.Item.CalHumiB =9110;

ParaRW.Item.CalTempKF =-2.005;
ParaRW.Item.CalTempBF =8308;
ParaRW.Item.SetT1Standard=100;
ParaRW.Item.SetT1Real=100;
ParaRW.Item.SetT2Standard=300;
ParaRW.Item.SetT2Real=300;
ParaRW.Item.SetT3Standard=500;
ParaRW.Item.SetT3Real=500;
ParaRW.Item.SetH1Standard=300;
ParaRW.Item.SetH1Real=300;
ParaRW.Item.SetH2Standard=500;
ParaRW.Item.SetH2Real=500;
ParaRW.Item.SetH3Standard=700;
ParaRW.Item.SetH3Real=700;

ParaRW.Item.C_F_SYMBOL=0;
}

Sensor.Shift[CH1] = ParaRW.Item.Shift1;
Sensor.Shift[CH2] = ParaRW.Item.Shift2;
}

硬件是12MHZ的外部晶振作为时钟源：
我的程序是这样的：
void main(void)
{
InitClock();
InitGPIO();
InitPWMOut();
InitParam();
InitDevice();
InitSystem();

EnableInterrupt();

while(1)
{
PeripheralHandle();

_BIS_SR(LPM1_bits+GIE); //进入低功耗0,使能总中断,等待参考稳定

}
}

时钟初始化程序如下：
void InitClock(void)
{
volatile unsigned int i;

WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; // Stop watchdog timer

BCSCTL1 |= XTS; // ACLK = LFXT1 = HF XTAL
BCSCTL3 |= LFXT1S1; // 3 ?16MHz crystal or resonator

do
{
IFG1 &= ~OFIFG; // Clear OSCFault flag
for (i = 0x47FF; i > 0; i--); // Time for flag to set
}
while (IFG1 & OFIFG); // OSCFault flag still set?

/*注意选择SMCLK的时钟的时钟源，因为定时器使用的是SMCLK*/
BCSCTL2 |= SELM_3+SELS; // MCLK = LFXT1 (safe) SMCLK = LFXT1

DelaymS(100);

}

#define DCO_FREQ 12000000
#define BASE_TIME_COUNT 65 //50000/(CCR0_RESOLUTION_VALUE/DCO_FREQ)

if (CALBC1_1MHZ==0xFF)// If calibration constants erased
{
while(1); // do not load, trap CPU!!
}

卡在这里表明您的校正参数被擦除了

这些校正参数是芯片在生产时为每个单一MSP单独确定的，也就是说每个芯片的校正参数都是不同的

您可以尝试通过以下程序来重新获取这些参数

在 dev.ti.com/.../node

的 DCO Calibration Constants Programmer