现象:
产品原来使用MSP430F5438,使用外部晶振为MCLK时,打耦合静电会复位,或者程序乱。我们有使用到SD卡,静电后甚至导致SD不能使用,电脑上重新格式化才能用。 后来只能使用内部晶振倍频到7M后作为MCLK,一切正常,产品用这个设置已经批量。
现用MSP430F5438A,做同样实验,问题依旧,还是只能用内部晶振才能正常。
请问这是芯片的原因还是布板?据同事说,原来出现该问题时,采用TI原厂实验板也同样通不过。
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现象:
产品原来使用MSP430F5438,使用外部晶振为MCLK时,打耦合静电会复位,或者程序乱。我们有使用到SD卡,静电后甚至导致SD不能使用,电脑上重新格式化才能用。 后来只能使用内部晶振倍频到7M后作为MCLK,一切正常,产品用这个设置已经批量。
现用MSP430F5438A,做同样实验,问题依旧,还是只能用内部晶振才能正常。
请问这是芯片的原因还是布板?据同事说,原来出现该问题时,采用TI原厂实验板也同样通不过。
楼主你好!
楼主现在是具体哪个ESD项目无法通过?接触还是空气?ESD耦合方式是地板还是隔板?能否提供一个照片和相关ESD测试信息?
1、TI MCU ESD 在接触人体模型HBM 的指标是±1.5kV ,超过这个电压值会导致不可预测的情况;
2、TI 不能保证客户终端产品的ESD等级,因为最终产品的ESD等级与设计和布板有很大的关系;
3、针对MSP430F5438A,使用外部晶体振荡器,我们有客户成功量产并且终端产品通过HBM ±12kV测试;
4、对于修改建议,楼主如果方便的话可以上传原理图和layout,或者联系当地代理商FAE请求协助;
5、另外提供一些比较通用的建议,复位信号线应该尽可能短,并且有地线保护,TEST引脚使用10k电阻下拉,晶体振荡器应当靠近MCU,引线使用地线保护,这部分的地线和信号线的间距以15mil比较合适。
ESD问题是一个case by case的问题,需要根据具体应用和ESD耦合方式而响应修改。