如何利用好MSP430芯片内的information memory 作为掉电数据保存(EEPROM)

     受朋友之托,今天第一次给大家发帖子,  把珍藏的成年老窖, 让大家尝尝,  下面是我珍藏多年的代码,我自认为有价值,  如果对你有点点帮助,请个我回个帖子. 

我们用的MSP430时,  内部有几十个字节information memory 可以当EEPROM来用, 无需再外扩EEPROM芯片,  用量保存一下系数的掉电保存的数据. 我一直用这个, 很好用.      

     特别说明:

     1.说明我用的是IAR编译器,  在IAR上一定能通过 

    2. 利用information memory 作为EEPROM 掉电保存数据,这是这段程序第一个亮点;

    3. 写information memory 必须在RAM中运行程序.  将程序从flash 跑到RAM中运行, 很有意思. 这是第二个亮点.

    4. 源文件,下载

http://www.deyisupport.com/cfs-file.ashx/__key/communityserver-discussions-components-files/55/7824.flash.h

http://www.deyisupport.com/cfs-file.ashx/__key/communityserver-discussions-components-files/55/2555.flash.c

#include "MSP430x16x.h"
#include "string.h"
#include"stdlib.h"
#include"flash.h"

/************************************************************************************
** 函数名称: flashWrite
** 功能描述: 在MSP430flash中写数据
**
** 输　 入: td:写入地址, sd:源数据指针, size:写入字节数
** 输　 出: 无
** 返 回 值: 返回需要发送给其他任务处理的数据块的指针。
** 全局变量: 
** 调用模块: 
** 作　 者: 陈文浩
** 日　 期: 2010年07月12日
************************************************************************************/
void flashWrite(unsigned char * td, unsigned char *sd, unsigned char size)
{
typedef void(*funp)(unsigned char*,unsigned char *, unsigned char); //定义函数指针类型
funp FLASHBLK; 
char ramcode[100]; //ram内程序及数组地址指针 
_DINT(); 
//ramcode=(char *)malloc(sizeof(char)*100); //为放入内存的子程分配空间(需先将heap值设为180)
FLASHBLK = flashWriteBlock; //函数指针赋值
memcpy(ramcode,(char *)FLASHBLK,100); //将块写子程放入ram中已分配空间
FLASHBLK=*(funp)ramcode; //将函数指针指向ram中的块写子程
flashErase(td); //段擦
(FLASHBLK)(td,sd, size); //块写(调用的是ram中的块写子程)
//free(ramcode); //释放空间
_EINT(); //开放中断
}


void flashWriteBlock(unsigned char * td,unsigned char *sd, unsigned char size)
{
int i;

while((FCTL3&BUSY)!=0x00); //检测busy位
FCTL2=FWKEY+FSSEL_1+20; //flash模块时钟源为MCLK 分频2
FCTL3=FWKEY; //解锁
FCTL1=FWKEY+BLKWRT+WRT; //块写
for(i=0;i<size;i++) //写64字节数据
{ 
*td++=*sd++; //写入
while((FCTL3&WAIT)==0); //检测wait位 是否写入该字
}
FCTL1=FWKEY; //BLKWRT WRT位复位
while((FCTL3&BUSY)!=0x00); //检测BUSY位
FCTL3=FWKEY+LOCK; //锁定

}
/*******************************************************************************/ 
/* 段擦除子程序 */
/*******************************************************************************/
void flashErase(unsigned char *td)
{
FCTL2=FWKEY+FSSEL_1+10; //flash模块时钟源位MCLK 分频2
FCTL3=FWKEY; //解锁
FCTL1=FWKEY+ERASE; //段擦除
*td=0; //在欲进行操作的段中空写,启动擦除操作
FCTL3=FWKEY+LOCK; //锁定 
}

//功能：FLASH操作 BYTE数据写入
//编程时钟:257KHZ~476KHZ
void flashWriteByte(unsigned char * pdata, unsigned char data)
{
//WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; //关闭看门狗
_DINT(); //关闭总中断
FCTL2 = FWKEY+FSSEL1+12; //3686400/300K=12
FCTL3 = FWKEY; //LOCK=0;
FCTL1=FWKEY+WRT; //WRT=1;
*pdata = data;
FCTL3 = FWKEY+LOCK; //
//开通看门狗
_EINT(); //开放中断
}

void flashWriteWord(unsigned short * pdata, unsigned short data)
{
//WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; //关闭看门狗
_DINT(); //关闭总中断
FCTL2 = FWKEY+FSSEL1+12;
FCTL3 = FWKEY; //LOCK=0;
FCTL1=FWKEY+WRT; //WRT=1;
*pdata = data;
FCTL3 = FWKEY+LOCK; //
//开通看门狗
_EINT(); //开放中断
}

非常不错的分享！

补充一点，部分MSP430中A区中存有部分芯片调校数据，如果需要利用A区，需要仔细看一下DATASHEET. 

arm999 说：

     受朋友之托,今天第一次给大家发帖子,  把珍藏的成年老窖, 让大家尝尝,  下面是我珍藏多年的代码,我自认为有价值,  如果对你有点点帮助,请个我回个帖子. 

我们用的MSP430时,  内部有几十个字节information memory 可以当EEPROM来用, 无需再外扩EEPROM芯片,  用量保存一下系数的掉电保存的数据. 我一直用这个, 很好用.      

     特别说明:

     1.说明我用的是IAR编译器,  在IAR上一定能通过 

    2. 利用information memory 作为EEPROM 掉电保存数据,这是这段程序第一个亮点;

    3. 写information memory 必须在RAM中运行程序.  将程序从flash 跑到RAM中运行, 很有意思. 这是第二个亮点.

    4. 源文件,下载

http://www.deyisupport.com/cfs-file.ashx/__key/communityserver-discussions-components-files/55/7824.flash.h

http://www.deyisupport.com/cfs-file.ashx/__key/communityserver-discussions-components-files/55/2555.flash.c

 

#include "MSP430x16x.h"
#include "string.h"
#include"stdlib.h"
#include"flash.h"

/************************************************************************************
** 函数名称: flashWrite
** 功能描述: 在MSP430flash中写数据
**
** 输　 入: td:写入地址, sd:源数据指针, size:写入字节数
** 输　 出: 无
** 返 回 值: 返回需要发送给其他任务处理的数据块的指针。
** 全局变量: 
** 调用模块: 
** 作　 者: 陈文浩
** 日　 期: 2010年07月12日
************************************************************************************/
void flashWrite(unsigned char * td, unsigned char *sd, unsigned char size)
{
typedef void(*funp)(unsigned char*,unsigned char *, unsigned char); //定义函数指针类型
funp FLASHBLK; 
char ramcode[100]; //ram内程序及数组地址指针 
_DINT(); 
//ramcode=(char *)malloc(sizeof(char)*100); //为放入内存的子程分配空间(需先将heap值设为180)
FLASHBLK = flashWriteBlock; //函数指针赋值
memcpy(ramcode,(char *)FLASHBLK,100); //将块写子程放入ram中已分配空间
FLASHBLK=*(funp)ramcode; //将函数指针指向ram中的块写子程
flashErase(td); //段擦
(FLASHBLK)(td,sd, size); //块写(调用的是ram中的块写子程)
//free(ramcode); //释放空间
_EINT(); //开放中断
}


void flashWriteBlock(unsigned char * td,unsigned char *sd, unsigned char size)
{
int i;

while((FCTL3&BUSY)!=0x00); //检测busy位
FCTL2=FWKEY+FSSEL_1+20; //flash模块时钟源为MCLK 分频2
FCTL3=FWKEY; //解锁
FCTL1=FWKEY+BLKWRT+WRT; //块写
for(i=0;i<size;i++) //写64字节数据
{ 
*td++=*sd++; //写入
while((FCTL3&WAIT)==0); //检测wait位 是否写入该字
}
FCTL1=FWKEY; //BLKWRT WRT位复位
while((FCTL3&BUSY)!=0x00); //检测BUSY位
FCTL3=FWKEY+LOCK; //锁定

}
/*******************************************************************************/ 
/* 段擦除子程序 */
/*******************************************************************************/
void flashErase(unsigned char *td)
{
FCTL2=FWKEY+FSSEL_1+10; //flash模块时钟源位MCLK 分频2
FCTL3=FWKEY; //解锁
FCTL1=FWKEY+ERASE; //段擦除
*td=0; //在欲进行操作的段中空写,启动擦除操作
FCTL3=FWKEY+LOCK; //锁定 
}

//功能：FLASH操作 BYTE数据写入
//编程时钟:257KHZ~476KHZ
void flashWriteByte(unsigned char * pdata, unsigned char data)
{
//WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; //关闭看门狗
_DINT(); //关闭总中断
FCTL2 = FWKEY+FSSEL1+12; //3686400/300K=12
FCTL3 = FWKEY; //LOCK=0;
FCTL1=FWKEY+WRT; //WRT=1;
*pdata = data;
FCTL3 = FWKEY+LOCK; //
//开通看门狗
_EINT(); //开放中断
}

void flashWriteWord(unsigned short * pdata, unsigned short data)
{
//WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; //关闭看门狗
_DINT(); //关闭总中断
FCTL2 = FWKEY+FSSEL1+12;
FCTL3 = FWKEY; //LOCK=0;
FCTL1=FWKEY+WRT; //WRT=1;
*pdata = data;
FCTL3 = FWKEY+LOCK; //
//开通看门狗
_EINT(); //开放中断
}

谢谢分享，MSP430铁电系列 MSP430FRxxxx片上存储全部为非易失性FRAM铁电存储，轻松解决掉电保护的问题。

请在TI.COM上搜索Compute Through Power Loss。这是一个很好的解决方案把FRAM作为EEPROM甚至SRAM使用

你好，我现在调试的是MSP430i2041，编译器是IAR，现在需要用info memory保存掉电数据，上电后读出来。IAR只提供了写进info memory的接口，没有提供读出来的接口，根据我在网上找的资料，读info memory的数据是直接操作就可以了。请问有读info memory的例程吗？

//下面是代码，代码是在FLASHCTL这个demo的基础上小改

#include "driverlib.h"

// Address of the beginning of the Flash Information Segment
#define SEGSTART 0x1060
// Number of bytes within segment to write
#define SEG_LEN 16

// Value to write to segment
const uint32_t Value = 0xBEEFDEAD;
uint8_t r_value[4]={0};
uint8_t r_value1=0;

void write_InfoSeg(uint32_t value);
void FlashRead(uint8_t *pc_byte,uint8_t *Dataout,uint8_t count);

void main(void) {
// Pointer to beginning of Flash segment
uint32_t *flashPtr = (uint32_t *)SEGSTART;

// Stop WDT
WDT_hold(WDT_BASE);

// Setting the DCO to use the internal resistor. DCO will be at 16.384MHz
CS_setupDCO(CS_INTERNAL_RESISTOR);

// Setting MCLK to DCO / 1. MCLK = 16.384MHz.
CS_initClockSignal(CS_MCLK, CS_CLOCK_DIVIDER_1);

// MCLK for Flash Timing Generator
// Flash clock will run at ~390kHz. Datasheet recommends 257kHz - 476kHz
FlashCtl_setupClock(390095, 16384000, FLASHCTL_MCLK);

FlashCtl_unlockInfo();
FlashCtl_fillMemory32(Value, flashPtr, SEG_LEN / 4);
FlashCtl_lockInfo();

while(1)
{
// Set breakpoint to view memory
//__no_operation();
FlashRead((uint8_t *)SEGSTART,r_value,SEG_LEN / 4);
r_value1=r_value[0];  //r_value1仿真一直是0
}
}

//从 info memory读一个byte接口

void FlashRead(uint8_t *pc_byte,uint8_t *Dataout,uint8_t count)
{

while(count--)

{

*Dataout = *pc_byte;

Dataout++;

pc_byte++;

}

}