你好,我们公司准备使用MSP430I2031芯片设计一款产品,需要使用到芯片的flash功能,我调试官方样例代码时发现,flash第一次存储时存储数据正常,如下图:
第2次存储flash就会出现问题,存储数据异常,如下图:
第3次也一样,如下图:
这是官方的样例代码,并未进行修改,请问这是什么问题,怎么解决呢?谢谢!
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你好,我们公司准备使用MSP430I2031芯片设计一款产品,需要使用到芯片的flash功能,我调试官方样例代码时发现,flash第一次存储时存储数据正常,如下图:
第2次存储flash就会出现问题,存储数据异常,如下图:
第3次也一样,如下图:
这是官方的样例代码,并未进行修改,请问这是什么问题,怎么解决呢?谢谢!
你好 ,我试了写之前先擦除flash,存储是正常了 可是设备断电再上电就不能正常运行了,仿真时,一直卡在这里:
应该是缺失什么东西了,是擦除flash出问题了吗?
官方样例代码里的文件 使用的是官方flash的样例代码 添加的擦除flash的操作
C:\ti\msp\MSP430Ware_3_80_14_01\examples\devices\MSP430i2xx\MSP430i20xx_Code_Examples\C\msp430i20xx_flashwrite_01
擦除的具体是哪个地址?有可能是把参考电压的校准值擦除了: