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MSP430FR57xxx系列果真低功耗吗？

jixin chen
Prodigy 93 points


MSP430单片机以低功耗著称，因此选型时基于功耗且内部具有铁电存储器的考虑选择430FR5721制作方案，但是现在我们发现睡眠模式LPM3需要6.3uA电流(Standby (LPM3 With VLO) 6.3 μAReal-Time Clock ,(LPM3.5 With Crystal) 1.5 μA,方案中需要看门狗时钟定时唤醒，我认为应该选择LPM3模式）

这个静态电流远高于其它单片机，

如PIC16F1829•

Sleep mode: 20 nA @ 1.8V, typical

• Watchdog Timer: 500 nA @ 1.8V, typical

• Timer1 Oscillator: 600 nA @ 32 kHz, 1.8V, typical

甚至430其它款型的单片机如430f2122：

D Low Supply-Voltage Range, 1.8 V to 3.6 V

D Ultra-Low Power Consumption:

-- Active Mode: 200 μA at 1 MHz, 2.2 V

-- Standby Mode: 0.7 μA

-- Off Mode (RAM Retention): 0.1 μA

我们不明白为什么这款单片机Standby Mode电流如此之大，是什么地方、什么原因使铁电系列单片机的功耗变大？还是数据手册上表述的不是同一个问题。。亦或是我们理解有问题，？希望资深工程师帮我们分析一下问题。解答一下疑惑。切盼！

                                                                                                            陈计信

                                                                                           重庆智能水表有限责任公司

                                                                                            023--89809089

                                                                                             15826005764

cjx_ytu@163.com

  • 0
    Genius 5796 points

    能介绍一下测量方法么？

    我自己没有什么哪怕稍微好一点的测量设备，所以对此感兴趣

    德州也介绍一下测量方法嘛

  • 0 回复 Fuchong Wang
    TI__Expert 7790 points

    回答这个问题不代表官方意见，只是我个人的想法，仅供参考。

    1. FRAM的功耗在ACTIVE模式时确实比FLASH的MCU要低，这个和FRAM的自生特性有关。

    2. 从数据手册上看LPM3的功耗要比MSP的其他型号或者是其他厂家的MCU要高,具体的数值是6个uA左右，至于是什么原因造成的，官方并么有给出具体的解释。但这个数值是指最大的功耗，大多数的应用应该不会有这么高。

    3. MCU的功耗由两部分组成，一个是ACTIVE模式，一个是在低功耗模式。在需要MCU长期工作，不进入休眠模式的应用，FRAM的低功耗具有较大优势。也就是说更适合做哪些需要MCU一直工作的应用（这类应用也非常多）。

    4. 如果MCU只需要工作很少的时间，而大部分都在休眠状态，休眠的功耗就更重要。这类应用FRAM MCU并不具有优势。但它的FRAM存储器会给客户带来数据高速存取的优势，会比用EEPROM 和FLASH存储数据有更好的可靠性和速度。(参考： FLASH存储数据会有页擦写问题，FLASH/EEPROM存储数据时功耗会比平时大很多，而且还需要5-10mA的写等待周期。FLASH和EEPROM在可靠性方面要远远低于FRAM存储器)

    5. 但从一般的应用来讲，休眠功耗能做到8uA以下基本上能满足大部分的电池供电的应用了。一个1000mAh的电池可以让10uA的产品工作5000多天（近15年），市面通用的CR2025的纽扣电池(160mA)也可以工作近3年。如果采用300mAh的纽扣电池可以工作近5年。

    6. 虽然从设计的角度来看，功耗是越低越好，但实际应用来看，功耗给客户带来的价值也并非想象的那么大。你可以具体分析下你的应用，找到一个最适合的方案。

    7. 如果确实既需要用到FRAM的存储器性能有对休眠功耗要求很高，我建议你能不能从你的休眠唤醒的方式来改进设计。例如是否可以通过更改WDT唤醒的模式，换成GPIO唤醒的模式来触发MCU的唤醒。我个人认为产品都是设计出来的，关键是你愿不愿意去做尝试和做取舍。