MSP430F5418A 读写内部Flash问题

读flash是不需要任何设置，直接对地址读取就可以。你说已经写进去了，那么你读出来的数据是多少？如果是FF，说明你没有写进去。

Hi wang,

现在读写都正常了。但是我还有个问题，我看5418a的例程，在擦写information segments 之前需要一个dummy write

来指定要擦写那个information segment，请问这个数值是怎么规定的？还是只需一个dummy write值，就可以将所有的

information segments 都擦掉。

例程上是这么写的：

FCTL3 = FWKEY;                            // Clear Lock bit

FCTL1 = FWKEY+ERASE;                      // Set Erase bit

*gpudFlash_ptrD = 0;                      // Dummy write to erase information memory segment

FCTL1 = FWKEY+BLKWRT;                     // Enable long-word write

*gpudFlash_ptrD = udEdtionNum;            // Write to Flash

FCTL1 = FWKEY;                            // Clear WRT bit

FCTL3 = FWKEY+LOCK;                       // Set LOCK bit

其中，*gpudFlash_ptrD是指向0x1800地址，也就是information segment D区域。请问如果我想擦除其他的

information segment dummy write 那一行应该给什么值？

还有，擦写bank时也会遇到这个问题。请您一并帮我看看。

Thanks

Best regards,

Nick

只需要一个写操作就可以，值可以是任意值.只和写的指针地址相关，和写入值无关。

Hi Ttiton,

一次写操作可以擦除所有的segment 吗？还是一次只擦除一个？

如果我想擦除bank呢？也是同样的操作吗？

Thanks

Best regards,

Nick

1. 一次写就可以擦除本块的FLASH.

2. BANK操作是一样的。

3. FLASH擦除后需要一个时间段的等待周期。

要擦除段，块或是整个flash，都是从寄存器中设置的，你看看数据手册就知道了

在以前149里面操作flash需要关闭中断，5510里面写flash需要关闭中断吗？

需要关中断