电路上将P10和P11作为按键输入,有100K上拉电阻到3.3V,下拉电容0.1uF。
设置使能P10和P11外部中断,有的时候进中断后发现P1IFG上,两个IO的标志位都置起来了。
手册上有提到非PM0状态下中断会堵塞,所以设置成PM0,发现还是存在这个现象。
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电路上将P10和P11作为按键输入,有100K上拉电阻到3.3V,下拉电容0.1uF。
设置使能P10和P11外部中断,有的时候进中断后发现P1IFG上,两个IO的标志位都置起来了。
手册上有提到非PM0状态下中断会堵塞,所以设置成PM0,发现还是存在这个现象。
无图不好说啊,但是跟你说,一般按键是不用电容的。作为51内核的单片机,一般IO特性跟标准的增强版51是使用方式基本上一致的。