大家好(@TI 工程师)
请问,
1. EEprom 的擦写次数。假设擦写次数100万次,只在地址0处,擦写一个字节100万次,地址0被擦写坏了,那么其他地址还可以使用不?EEPROM擦写坏的症状是,可读不可写?可写不可读?
2.Flash的擦写次数。假设擦写次数100万次,只在扇区0处,擦写扇区100万次,扇区0被擦写坏了,那么其他扇区还可以使用不?Flash擦写坏的症状是,可读不可写?可写不可读?
3.TI的MCU(比如TM4C1231D5PM)。
A.MCU Flash擦写次数与专用Flash(比如M95010 )擦写次数相比是不是要少很多?
B.MCU Flash擦写次数规律是不是跟“问题2“相同?
C.MCU EEPROM擦写次数规律是不是跟“问题1“相同?