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你好 设计图纸如下
您的设计图看起来与Hiram问题中的相同：https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1000569/drv8350-drv8350
请您尝试：
1. 在高栅极驱动电流的情况下，您可能会使稳压器过载，或者使耦合器回到稳压器中，从而泵浦电压并导致损坏。 耦合路径是SHx至GLx跨外部电容器CGD的路径，然后经过DRV835x的源极驱动器进入VGLS稳压器。
2. 如果VGLS电容器未非常紧密地连接到VGLS引脚，则额外的寄生电感会导致电容的有效值降低，并且纹波会损坏VGLS LDO。
3. 如果VGLS电容器GND与MOSFET的PGND和GND没有紧密相连，则可能会产生较长的走线，从而将电感引入VGLS环路。 导通或关断栅极驱动器时，这可能会导致过大的纹波，并可能造成损坏。
好的 多谢！
annie 您好，我们把栅极的2.2ohm电阻改成75ohm后就不会出现这个问题了，这是什么原因呢
从2.2欧姆更改为75欧姆会降低栅极驱动电流。这与我上面的第一个要点有关：
在高栅极驱动电流的情况下，您可能会使稳压器过载，或者使耦合器回到稳压器中，从而泵浦电压并导致损坏。 耦合路径是SHx至GLx跨外部电容器CGD的路径，然后经过DRV835x的源极驱动器进入VGLS稳压器。
您好 可是我们在软件上调整了IDRIVE的大小，从2000ma调整到100ma 整个过程波形没有变化,情况也没有改善，不得已加大了驱动电阻，但这样会让死区很长
调整串联电阻和调整IDIRVE具有相同的效果。请确保您正在调整source 和 sink settings（有四个不同的寄存器）。例如， sink setting 可以从2000mA降低到100mA，而source setting可以从1000mA降低到50mA。
Original setting: 2.2 ohms, 1000mA/2000mA:
New setting: 75 ohms, 1000mA/2000mA:
New setting: 2.2 ohms, 100mA/100mA (did the customer adjust both the sink and source IDIRVE?):
好的，非常感谢，我们再检查下程序
