请问
nFault 变LOW 时 , 时间要维持多久
才会被DRV8350 侦测到
请问一下
I Drivep_LS 设定600mA
电流是像方波一样
一直持续给600mA
还是电流是像三角波一样
瞬间给600mA然后经过5倍的RC时间
后电流下降到0mA
nFAULT 不接到MCU
如果我把nFAULT接到GND
请问一下DRV8350S会停止运作吗?
工程师在 nFAULT 接地的情况下对 DRV8353RSEVM 运行了测试，测试中没有任何问题，可以成功运行电机。如果您不使用 nFAULT，可能能够将引脚接地，但为了安全起见，最好在 nFAULT 上拉一个。 如果没有使用 nFAULT ，那么MCU 将无法收到 DRV 上存在故障的通知。
I Drivep_LS 设定600mA
电流是像方波一样
一直持续给600mA
还是电流是像三角波一样
瞬间给600mA然后经过5倍的RC时间
后电流下降到0mA
如下图所示，通过打开特定的内部 MOSFET 来选择 IDRIVE，以便向外部 MOSFET 的栅极施加电压。 最初当外部栅极电压为 0V 时，内部 MOSFET 上会出现大约 12V 的压降，从而产生流经 MOSFET 的特定电流。 随着外部 MOSFET 的栅极电压增加，最终栅极将打开至大约 12V VGS，从而导致内部 MOSFET 上几乎没有压降。 因此当栅极打开时，外部栅极电流 (流经内部 MOSFET 的漏极至源极电流) 将会降低。
您给出的图差不太多，请参考下图，工程师做了一点调整，以更好地反映栅极电流曲线。 栅极驱动电流最初更恒定，然后由于内部栅极驱动 MOSFET 的 I/O 特性而更线性地下降：
我使用的电压VM是12V , Vdrain 是48V
经过 charge pump , VCP会升压到60V
如果DRV8350 不用 charge pump 升压到60V
而是要外部输入60V电压给DRV8350
这样是否跟charge pump 产生的60V是一样的
不可以的，我们的器件将始终使用电荷泵，是无法在外部提供 60V 电压来绕过电荷泵的。
前你们有回答决定TDRIVE 时间是 TDRIVE 需要足够长的时间来考虑关闭 1 个 MOSFET + 死区时间 + 打开其他 MOSFET 的情况。
请问一下关闭 1 个 MOSFET 的时间就是Vds从有电压差变成0V
一般不是100-200ns吗?
所以关闭 1 个 MOSFET 的时间跟打开其他 MOSFET
都用100-200ns来计算
请问可以吗
驱动器监控 MOSFET 的 VGS 电压，并使用该电压确定 MOSFET 是打开还是关闭。 与 VDS 转换速率约为 200ns - 100ns 有些不同。 如果您查看下面的图 (显示了 MOSFET 的开启) ，Vgs 电压将上升，直到达到miller plateau，而在这个miller plateau期间， VDS 电压将根据 MOSFET 的 Qgd 进行转换。 在miller region之后，Vgs 电压将继续上升，直到 Vgs 电压达到大约 12V：
关闭 1 个 MOSFET 时间的计算是 Qg / I_falling,I_Falling就是I DRIVEN_HS
打开其他 MOSFET 时间的计算是 Qg / I_rising,I_rising就是I DRIVEP_HS
请问是这样计算吗?
这个是用于计算 VDS rise时间和fall时间 (MOSFET VDS 电压转换的速度)。 当 MOSFET 开始打开时，VDS 电压将开始从 VM 下降至接近 0V，因为 MOSFET 打开时，漏极处的电压出现在电源上。如下图所示，该MOSFET VDS 转换率在Miller Region(MOSFET 的 Qgs 充电后，MOSFET 的 Qgd 充电期间) 发生。 因此，虽然 VDS 转换率是 MOSFET 的开关，但在选择 tDRIVE 值时仍需考虑更多因素。
例如，需要留出时间让 VGS 电压达到 Vth 阈值，并且栅极不会完全打开（直到 MOSFET 的整个 Qg 被充电）。 这个需要花费比 VDS rise或fall更长的时间。 因此当设置 tDRIVE 时，除了考虑 VDS 上升或下降时间之外，您还需要考虑能够通过对 MOSFET 的所有电容进行充电来完全增强栅极。 工程师建议从 tDRIVE 的 1000ns 开始，如果您没有足够的时间完全关闭和打开 MOSFET 的栅极电压，您可以适当地增加 tDRIVE。
此外，关于您之前提供的图，工程师进一步做了一个更准确的版本，如下：
