DRV8328: A的SHx 状态确定 上桥打开 fault 拉低。

? ? 说：

问题1里面，“因为 SHX 引脚上可能会有少量泄漏电流流经高侧 MOSFET 的体二极管”，中的高侧MOSFET是指外部的高侧NMOS吗，其泄露回路是指外部上桥NMOS的GHx---SHX-Cgs,然后有部分电流回流到其D端？

您好，是的， 高侧 MOSFET 是指外部高侧 NMOS。 从 DRV 流出 SHX 引脚的少量泄漏电流可能流经外部高侧 NMOS 的体二极管，会将 SHX 电压拉高，因为泄漏电流从源流至漏极流经体二极管。 这是预期中的情况。

外部栅极到源极电阻器是可选可不选的，主要是为了在栅极上添加一些无源下拉电阻来帮助栅极保持关闭状态。 如果您需要保持下拉电阻器，建议大幅增加，不要使用最低值，因为 10k 值似乎对自举电容器产生了太大的需求。

自举欠压阈值最小为 3.9V，典型值为 4.45V。详细信息您可以看下数据表中的 Protection Circuits section of the Electrical Characteristics table。

VDSLVL 引脚电压问题工程师正在确认中。

你好，居家办公2个星期。。。 确认100K电阻至GVDD，测试的VDSLVL处电压为6.7V；现在的测试问题是，在桥臂000状态111保持的状态，或者切换时，GLB对应的下管无法打开（其对应的VGS之间无电压或者波形，MOS的G S无击穿可确定，INLB上面有控制电压），其他两路GLC,GLA对应的MOS打开正常，其上能测试到正确电压或波形，请问这个芯片有这种现象发生吗，可能是什么原因，三路桥臂的电路设计是一样的。

您好，和您确认下，不知道您这边的新问题是否已解决，看到您点击了已解决按钮。