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HI,TI工程师
1,我在使用TI DRV8303驱动三相MOS管的过程中,发现DRV8303的电流放大倍数默认是10V/V,怎样才能把默认比例改为80V/V呢?
2,在对DRV8303上电后,SPI把电流放大倍数写入控制寄存器2后,在驱动MOS管时,发现GVDD电压从10.7V跌落至8.5V,跌落时间持续0.8ms,然后GVDD恢复至10.7V,此时8303的电流放大倍数恢复成默认的10V/V,这是GVDD导致的SPI寄存器复位吗?
谢谢
您好,
请检查 SPI 寄存器上是否触发了任何故障。
你好,感谢答复,现仍有疑问:
1,SPI指令的确是可以修改增益,但是在8303发生某些故障或者上下电之后,8303的电流增益会被恢复成默认的10V/V,因此看起来似乎增益系数被写入的是ram中,然而在实际应用中希望不管8303经历了什么(上下电可以除外),最终的电流增益都是80V/V;
2,电流放大器的增益设置是在控制寄存器2中,地址是0X03。在实际驱动三相逆变MOS管的时候,发生过B相MOS上下管直通,导致了8303的nFAULT引脚被拉低800us后再次恢复成高(因为B相MOS直通后,8303控制所有的MOS全部关闭了),此时8303的电流增益系数被恢复成10V/V(8303刚上电时,已被SPI通讯写入80V/V的增益系数且8303的SPI回复数据无误)。这种突然改变电流增益系数的事情是非常危险的,因此想知道哪些条件会导致8303的电流增益系数发生改变,以及怎样修改并写死8303的默认增益系数;
3,已解决。
谢谢
您好,
如果 EN_GATE 变为低电平的时间超过10us,那么SPI 设置可能会被复位,因此请确保不会发生此事件。
另一个要监控的组件是 VDD_SPI。 请确保它在整个时间内为高电平,因为如果变得过低或降至0V,那么SPI 将被复位。