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DRV8323: 对GHx、SHx、GLx和IDRIVE的一些问题

Part Number: DRV8323

1、我给DRV8323H提供18V的电源,芯片内部的VVCP也是18V左右?GHx、GLx根据输入的PWM波开关MOS管,它们的输出电压也在18V?也就是VGS=18V?
2、SHx控制电机的UVW三相,同时输入回电机驱动芯片的作用是什么?只是和VDRAIN一起作为一个VDS过流监视器的作用吗?
3、栅极驱动电流idrive在打开MOS管的同时也输出,一并作用到mos管上?可是mos管不是用Vgs(th)打开的吗,与电流也有关系?
问题有点多,感谢感谢。

  • 您好我们已收到您的问题并升级到英文论坛寻求帮助,如有答复将尽快回复您。谢谢!

  • 您好,

    1、我给DRV8323H提供18V的电源,芯片内部的VVCP也是18V左右?GHx、GLx根据输入的PWM波开关MOS管,它们的输出电压也在18V?也就是VGS=18V?

    当 VM=18V 时,VCP 在理想情况下比 VM 高10-12V。 VCP 电压取决于 VCP 负载电流(IVCP),该电流受 MOSFET Qg 值、PWM 开关频率和 MOSFET 开关数量或 VCP 引脚上的外部负载的影响。 

    2、SHx控制电机的UVW三相,同时输入回电机驱动芯片的作用是什么?只是和VDRAIN一起作为一个VDS过流监视器的作用吗?

    SHx用于以下几个方面:

    • SHx 是电机相电压,压摆取决于使用 IDRIVE 电流打开/关闭 MOSFET 栅极的速度。
    • SHx 也是高侧栅极驱动器的灌电流路径。因此,当 IDRIVEN 被应用于 GHx 时,栅极电流路径根据 GHx 输出的状态,用一个强下拉或弱下拉从 GHx 下降至 SHx。
    • SHx 还用作 HS 和 LS MOSFET 的 VDS 监控引脚。 对于 HS MOSFET来说,VDS 监控为 VDRAIN-SHX;对于 LS MOSFET来说,VDS 监控为 SHX-SPx。
    • 高侧 VGS 监控通过 GHx-SHX 进行监控。
    3、栅极驱动电流idrive在打开MOS管的同时也输出,一并作用到mos管上?可是mos管不是用Vgs(th)打开的吗,与电流也有关系?

    IDRIVE 决定 MOSFET 栅极的开关速度,这会影响 MOSFET 的 VDS 压摆率。 较高的 IDRIVE 源电流值会导致 MOSFET 栅极充电速度更快,从而使 VGS 电压更快地超过 Vth 阈值并更快地导通栅极。 IDRIVE 灌电流也一样,IDRIVE 值越高,VGS 值越快,进而低于 Vth 阈值并关闭 MOSFET。 这些因素会影响 MOSFET 的 VDS 压摆率,从而决定 MOSFET 中的 EMI 性能和散热。

    IDRIVE 值越高,VDS 压摆率越快;IDRIVE 值越低,VDS 压摆率越慢。

    您可参考该app note获取更多详细信息:https://www.ti.com/lit/slva714

  • 想再请教一下,这款芯片的焊接温度是多少呀,看了手册没有找到

  • 您好,

    该芯片没有特定的焊接温度。不过您请检查器件标签上该器件的潮湿敏感度等级等级( Moisture Sensitivity Level rating-MSL),并通过以下文档确定 DRV8323H MSL 等级的回流焊温度曲线: 

    https://www.ti.com/lit/pdf/spraby1