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您好，请问这个漏电是在什么条件下测到的呢
您好，您的问题我们需要升级到英文论坛寻求帮助，有答复尽快给到您。
您好，
datasheet中列出了部分测试条件：
剩下的测试条件我们需要确认后给您答复。
系统这边的团队已确认，除数据表上列出的测试条件外，无法确定任何其他测试条件。
您是否有想要查找的特定条件或规格？
您好，这个电流是上下功率管全部关闭测得的电流吗
我们向工程师确认下，英文论坛的链接也给您贴在下面，您可以及时确认工程师的答复：
https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1249070/drv8835-leakage-condition
是的，漏电流是在 MOSFET 处于 Hi-Z 状态时测量的。在此状态下，向 MOSFET 的漏极提供 5V 电压，然后测量流入引脚的电流。
您好，我能认为Hi_Z状态下，MOSFET的漏极接范围内的任意电压，漏电流都是200nA以内吗，比如接0至5V之间的任意电压
是的，只要 MOSFET 处于 Hi-Z 状态，范围内的任何电压都将允许测量高达 +-200 nA 的相应漏电流。
漏极和源极电压应该相同，本质上是漏极和源极“短路”。通过向漏极和源极施加最大允许电压 VM = 5 V，可以测量 200 nA 的最大漏电流。
