DRV8353F: 按照电路模块设计电机预驱模块，但是当ENABLE器件后，6路互补方波给到预驱芯片后，预驱芯片瞬间报Fault

关于您的问题，我需要询问更了解这款芯片的TI资深工程师，再为您解答，一旦得到回复会立即回复给您。由于时差回复可能会延迟，感谢您的耐心等待。

请问是否有相关回复

抱歉，暂时还未有回复。我已经催促了，您也可以查看下帖了解进展：

https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1328275/drv8353f-the-pre-drive-chip-reports-fault 

看来这可能是过流故障，因为我们看到驱动器温度在故障和操作期间急剧上升。可能是过流跳变点太高，驱动器未能在损坏之前关闭。

该故障在标记后是否会关闭外部 MOSFET 操作？

我们还注意到 IDRIVE 设置设置得非常高 (450/900mA)。 能否将栅极电流减慢至 50/100mA（IDRIVE 连接至 GND）并重新评估？

1.该故障在标记后是否会关闭外部 MOSFET 操作？

回答：MOSFET并未被成功驱动，预驱就温度急剧上升并损坏。

2. IDRIVE 设置设置得非常高 (450/900mA)。 能否将栅极电流减慢至 50/100mA（IDRIVE 连接至 GND）并重新评估？

回答：我们尝试过降低ID，确实能够开启关闭MOSFET，已调整栅极电阻与ID配置值并制作样板啦，我们需要时间验证该项点十分能够解决该问题。

已将您的问题更新给工程师了，如果对此事还有任何其他问题或更新，请联系我们。