Original question:
[参考译文] DRV8350:IDRIVE、VDS 设置和过冲问题。
DRV8350 驱动电机,当phase current 增加到 ~120A 左右时,GDU 烧毁,量SLB 对地阻抗,发现V相下桥或者W相下桥损坏。
GDU 损坏一般的原因是什么?另外这颗驱动是否可以驱动 大电流工作?
您好,
DRV8350的峰值电流能力大概为50~60A,最大持续相电流(phase current)还要低于这个数值。
phase current增加到约120A,明显超过了DRV8350的峰值电流能力,GDU烧毁是大概率的。
请问你这边 是TI的 技术支持么?
Phase current 50~60A rms 是烧 gate driver 的哪些部分,哪些pin脚的能力不够? 在规格书或者哪里有这方面的说明么?
high-side gate pin (GHx)和low-side gate pin (GLx)都有可能承受不住。
是因为L*di/dt 么?电流大了之后,这些管脚的 电压会造成损坏?
你说的峰值电流能力 50~60A 在 哪里 可以找到相关说明?
从理论上可以这么理解。手册等资料可能没有这方面的详细说明。主要是根据一些应用实例和实际发生的问题。
目前我们双脉冲 可以达到200多A,看了一下GL-GND、SL-GND 都有非常大的波动,有的已经超了±1V的限制,但是双脉冲没有损坏。转电机的时候,相电流到达100多A peak值时,比较容易损害gate driver。 所以你们这颗驱动 确实应用不了100A以上的电流是么?
请看下下面的链接,相电流影响的是MOSFET,DRV8350驱动MOSFET,设计合理的话,可以管理高电流。
https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1448306/drv8350-motor-phase-current?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=400A%20phase%20current#