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Original question:
[参考译文] DRV8350：IDRIVE、VDS 设置和过冲问题。
DRV8350 驱动电机，当phase current 增加到 ~120A 左右时，GDU 烧毁，量SLB 对地阻抗，发现V相下桥或者W相下桥损坏。
GDU 损坏一般的原因是什么？另外这颗驱动是否可以驱动 大电流工作？
您好，
DRV8350的峰值电流能力大概为50~60A，最大持续相电流（phase current）还要低于这个数值。
phase current增加到约120A，明显超过了DRV8350的峰值电流能力，GDU烧毁是大概率的。
请问你这边 是TI的 技术支持么？
Phase current 50~60A rms 是烧 gate driver 的哪些部分，哪些pin脚的能力不够？ 在规格书或者哪里有这方面的说明么？
high-side gate pin (GHx)和low-side gate pin (GLx)都有可能承受不住。
是因为L*di/dt 么？电流大了之后，这些管脚的 电压会造成损坏？
你说的峰值电流能力 50~60A 在 哪里 可以找到相关说明？
从理论上可以这么理解。手册等资料可能没有这方面的详细说明。主要是根据一些应用实例和实际发生的问题。
目前我们双脉冲 可以达到200多A，看了一下GL-GND、SL-GND 都有非常大的波动，有的已经超了±1V的限制，但是双脉冲没有损坏。转电机的时候，相电流到达100多A peak值时，比较容易损害gate driver。 所以你们这颗驱动 确实应用不了100A以上的电流是么？
请看下下面的链接，相电流影响的是MOSFET，DRV8350驱动MOSFET，设计合理的话，可以管理高电流。
https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1448306/drv8350-motor-phase-current?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=400A%20phase%20current#
