LM5148 输入48V输出24V,EN上电2S后电压 跌落到2V,LM5148接电子负载输出3A没有问题,实际工程上的负载三个步进电机驱动,一个MCU,一个i.M6uLL 核心板。用直流电源供电的时候观察到步进电机运行过程中电流在2A以内。但是上电2s的时间刚好是MCU控制步进电机校准的时间。
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LM5148 输入48V输出24V,EN上电2S后电压 跌落到2V,LM5148接电子负载输出3A没有问题,实际工程上的负载三个步进电机驱动,一个MCU,一个i.M6uLL 核心板。用直流电源供电的时候观察到步进电机运行过程中电流在2A以内。但是上电2s的时间刚好是MCU控制步进电机校准的时间。
您用示波器的捕捉一下上电过程负载电流波动情况。
只接电机再测一下,看一下还会不会出现掉电
您好,我测量发现是SW 引脚对地短路,我把IC拆下来测量SW引脚对地短路,用电子负载测试的时候没有发现过这样的问题。LM5148输入端和一个48V的步进电机驱动接在同一个电源上,LM5148后级接MCU还有三个24V的TMC的步进电机驱动,上面说的48V 步进电机驱动上电受MCU控制,也就是说48V 上电后,24V建立,MCU经过板载DCDC和LDO 上电,控制48V步进电机上电,同时24V的三个步进电机开始自检。
LM5148 并不是100% 上电就会损坏,有时候能工作正常,有时候就会上电工作两秒直接输出为0(2秒这个时间与48V步进电机上电、三个24V步进电机自检的时间比较吻合),检查就是SW和CBOOT引脚对地短路。在电源设计初期还出现了空载无法启动的问题,后来通过修改COMP的电容电阻(用官方的EXCEL工具计算)也没有很好的改善,然后增加了VCC到CBOOT的外置二极管,效果比不加好多了,并且在输出端增加了一个1k 的虚拟负载基本可以实现空载启动
补充一下:LM5148后级三个步进电机同时工作的电流在1.2A,LM5148用电子负载测试5A带载没有问题
再补充一下,自己做的另一个用SOP8封装的DCDC带同样的负载没有出现过这样的问题,包括用直流稳压电源带负载也没有出现过问题,是考虑到内置MOS的SOP8封装的IC带负载有限,所以采用LM5148这种外置MOS的方案。SW引脚对地短路的时候,CBOOT引脚也对地短路,CBOOT为100nF,100V.
我们需要时间看一下,如果有需要您这边继续补充或者我们这边有结果,我们会在帖子中回复您。
再补充一点:我用的MOS型号为BSC072N08NS5,
在上面这个论坛链接里面专家说LM5148 要使用米勒平台在3V以内的MOS,我选用的这个是否不合适,或者说是不是这个原因导致的SW和CBOOT对地短路。
下面这个链接有个用户跟我使用的MOS为同一个型号,他也出现了问题,但是跟我这个现象并不相同
在您的应用中,所选的FET BSC072N08NS5不合适。栅极平台电压为5V
在驱动FET时,除了阈值电压(它只是告诉MOSFET何时开始导通)之外,还需要考虑FET的米勒平台。请参阅此e2e链接,其中有一些很好的资源
理想情况下,您希望栅极驱动电压(在这种情况下,LM5148的栅极驱动电压为5V)高于米勒平台电压。如果不是这样,FET将不会完全导通,从而导致设计中的监管问题。我建议您在此处更改FET——您可以查看EVM中建议的FET。(BoM见EVM用户指南第6页:
https://www.ti.com/lit/ug/snvu820/snvu820.pdf
如果不看波形,我就无法对你面临的问题发表评论。然而,我最好的猜测如下:
电机是电感性负载,在打开时会产生涌入电流。当MCU打开电机时,会出现突然的涌入电流,这超过了FET(由于其米勒高原而未正确打开)无法支持的电流,从而导致设计失败。电子负载预计不会出现浪涌,FET可以支持这一点(即使FET没有完全打开)。我猜你也会看到这里的FET有很多发热现象。
感谢您的回复。接下来我更换MOS后测试一下。另外,之前出现的空载启动困难是否和这个也是有关呢,LM5148的VCC是5V,我看到手册上内部二极管的压降为0.8V,是否也就是说CBOOT上的电容最高充电到4.2V是吗?
我尝试更换了MOS管,空载启动没有问题,由于旁边暂时没有感性负载,无法测试,等测试后回复。再次感谢您的帮助