对电源了解不多,望指教!
用TI的TPS40055设计了一个电源,输入24V,输出5v/15A,参数用的是TI的SwitcherPro 设计软件设计出来的,元器件也是用的推荐型号,但是板子做出来之后效率只有60%多点,与参考设计差的远,请专家帮忙分析下。感激不尽
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对电源了解不多,望指教!
用TI的TPS40055设计了一个电源,输入24V,输出5v/15A,参数用的是TI的SwitcherPro 设计软件设计出来的,元器件也是用的推荐型号,但是板子做出来之后效率只有60%多点,与参考设计差的远,请专家帮忙分析下。感激不尽
满载效率60多?建议先找到损耗较大的器件
检查电感和MOS管温度是否过高,观察电感电流波形,两个MOS管的电压电流波形,分析损耗再进行优化
谢谢解答
今天用示波器看了各节点输出波形,输出电压有较大的尖峰电压,用探头看幅度有500MV,尖峰的频率为震荡频率300K左右,尖峰附件有高频震荡,SW电压信号和MOS驱动信号的上升下降沿有较明显抖动,200ns左右。请专家分析下什么原因,还有就是TPS40055芯片发热严重。谢谢
您可以从如下方面确认:
1. layout, 你可以参考12V转1.8V/15A的设计: www.ti.com.cn/.../sluu186.pdf, 芯片会用到底部的powerpad与PCB充分焊接,并扩展,芯片通过此铜箔散热。 同时电感所在Pad也要注意,不要造成杂散电容。
2. 建议增加Snubber电路, 见上文第9页:Snubber Component Selection。
3. 选择低ESR的输出电容,按照SwitcherPro™ 的设计选取,如上述文档第八页Output Capacitor Selection描述。
MOSFET驱动信号抖动的原因可能有:
1. 驱动信号输出走线trace的寄生电感与MOS的寄生电容Ciss之间形成的振荡,要求走线规则以及trace尽量短。
2. 上臂MOS启动SW上的spike 通过charge pump电容,会耦合到驱动信号上,下臂MOS启动也可能受到一些GND noise的干扰。
weisong gao,
TPS40055的效率较低,跟布板,器件的选型(包括输入电容,输出电容,电感及MOSFET管)都有关系,可参考附件的资料中器件选型及损耗分析。另外,与测量方法也有关系:测量时使用两个万用表测量输入输出的电压(越近越好),串万用表进行电流的测量(或者使用电流显示准确的电压源及电子负载)。
Hi
效率低需要检查功率器件,包括驱动等。
snubber电路主要是消除电路中的spike.
芯片低的powerpad必须与GND充分焊接,这个是芯片散热的要求。
weisong gao 说:对电源了解不多,望指教!
用TI的TPS40055设计了一个电源,输入24V,输出5v/15A,参数用的是TI的SwitcherPro™ 设计软件设计出来的,元器件也是用的推荐型号,但是板子做出来之后效率只有60%多点,与参考设计差的远,请专家帮忙分析下。感激不尽
可以上传一张效率曲线吗?看一下是否是DCM-CCM切换的时候发生的效率严重下降?
如果是的话,可能是发生了Shootthrough,需要再HDRV和High side FET之, 还有BOOST之间加5ohm左右电阻,降低驱动速度。
Hi
MOS发烫,可以查一下你测试的两个驱动波形,看有没有shoot through的想象。另外MOS同样要注意散热设计的问题。
关于电路图,建议你用TI的仿真软件switcherpro 仿真确认一下。
电路设计中,你的输出电容比较小,建议加大。
能否告知你的详细规格,输入输出电压,满载电流之类的参数。
Hi
附件是按照你的参数用TI 仿真软件SWITCHER 得到的仿真电路图,你可以参考一下(或者你直接在TI网站上仿真:http://www.ti.com.cn/product/cn/tps40055,或者在TI网站上下载软件:http://www.ti.com.cn/tool/cn/switcherpro)
如之前所谈,你的输出电容太小,其他的,你可以参考一下TI仿真电路。