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Original question:

LM5116: 使用LM5116做了一个80V输入，12V输出，5A的板子，使用过程中有输出，但是很容易坏。

LM5116: sw脚电压尖峰高

weihong cheng
Prodigy 10 points
Part Number: LM5116
Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A

48V转12V/10A的设计中，采用LM5116,开关频率200KHz，设计参数按照规格书介绍计算，且layout经过多次改版，高频电流回路也较小，但下MOS管的DS电压尖峰很高，测量SW到输出端的电压波形也有同频率的尖峰，且测量电流采样电阻两端同样也有此尖峰，调节吸收及增加TVS均无效果，请帮忙看一下是哪里有问题，谢谢。 底层layout 顶层layout 原理图

  • 0
    TI__Mastermind 38050 points

    您好，
    已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待。

  • 0 回复 Alice
    TI__Mastermind 38050 points

    您好，

         PCB 布局很好，除了缓冲器连接。如果您想看到 RC 缓冲器的最佳性能，缓冲器应连接在低端 MOSFET 的漏极与地之间，且不要通过过孔连接。

        您现在观察到的纹波有多大？您是否使用了带尾线接地的探头？www.ti.com/.../ssztb25.pdf

        请逐项尝试以下操作。将 R117 增大至约 5Ω。用低 QRR 的 MOSFET 替换 Q16。在 Q16 并联安装肖特基二极管。

  • 0 回复 Alice
    Prodigy 10 points

    1.下一板跟改一下RC缓冲器的布局和连接方式

    2.用纹波探头20MHz带宽的情况下测出纹波很低，但是用普通探头和不限制示波器带宽的情况下测试时，输出纹波会夹带和下管DS关断时尖峰电压同频的高频纹波。

    3.驱动电阻之前加大到30Ω时尖峰会有所降低，但发热严重。现在的Q15和Q16采用的贵司的MOS管型号CSD19534Q5A，trr为53ns。昨日更换了其他品牌mos后尖峰有所降低，但会随着负载的增大电压尖峰逐渐增大，是否有办法达到网上所说的BUCK电路没有电压尖峰，

    4.请帮忙在看一下我的地的回路是否有更优化的连接方式。

    第二层layout

    第三层layout，谢谢