
如图1,CH3的波形为原边电感电流,CH2的波形为原边开关管的Vds波形,CH1的波形为对应开关管的驱动信号,此时DAB处于匹配状态,而且转折点的电感电流值也能够实现软开关,但Vds仍然有关断尖峰。

图2为CH1和CH2为原边开关管的驱动波形,在死区时间内Vgs受到了干扰,可能是这个原因造成关断尖峰吗?我已经在开关管附近并联很多0.1uf的电容,仍然对尖峰没有缓解?请给我一些建议,谢谢!

如图1,CH3的波形为原边电感电流,CH2的波形为原边开关管的Vds波形,CH1的波形为对应开关管的驱动信号,此时DAB处于匹配状态,而且转折点的电感电流值也能够实现软开关,但Vds仍然有关断尖峰。

图2为CH1和CH2为原边开关管的驱动波形,在死区时间内Vgs受到了干扰,可能是这个原因造成关断尖峰吗?我已经在开关管附近并联很多0.1uf的电容,仍然对尖峰没有缓解?请给我一些建议,谢谢!
您的原理图里面似乎没有涉及到TI的芯片。
一般来说,如果输入输出电压比与变压器匝数比相同,DAB的工作效果最好。对于更宽的输出电压范围,多相移控制可以提高效率。这篇IEEE文章是一个很好的起点:Comparison of Control Strategies for Dual Active Bridge Converter | IEEE Conference Publication | IEEE Xplore