请问：比如驱动3对背靠背MOS管，每对MOS管流过20A电流；所有MOS管的Qg总和或者Ciss有无最大值要求？
看论坛其它问答，说是可以驱动6个MOS管。
我的实验电路就是使用一片LM5069驱动多路并联的背靠背mos，给电阻负载供电：输入50v，电阻15欧，输出无电容。
我实验时发现驱动1路下面参数的MOS管，空载基本能打开mos开关，栅极电压比VIN高约10v；但是带15欧负载，输入上电时经常不能打开MOS开关。
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 4.406nF@50V |
如果是下面参数的mos管1对背靠背，空载时大功率可以打开mos；如果是3对背靠背，空载时打不开MOS，此时栅极输出电压等于VIN, 如果接上负载，栅极输出电压测量为0。
| 栅极电荷量(Qg) | 198nC@10V |
| 输入电容(Ciss) | 13.5nF@50V |
是不是LM5069栅极驱动电流太小，内部有一个保护机制？ 对mos管Qg或Ciss是否有要求？
