BQ25756: BQ25756发热很严重,有哪些可能性原因?

Part Number: BQ25756


各位TI工程师,这是我参考TI官方BQ25756EVM开发板改的原理图,用AC-DC电源给7串锂电池充电,电流3A。测试很久目前是功能都正常,电路中的电感、MOS管和芯片底部全都采用大覆铜,并且采用风扇在含有器件面向外吹风散热。整个电路板是在一个密闭的金属箱中,目前的问题是芯片再整个充电过程中温度高到86度,而电感和MOS反而温度只有50度左右。请问有哪些可能性原因?目前通过改变频率没有解决芯片温度高的问题,在布局上电感和芯片以及MOS距离很近,约6mm~12mm左右。因为看手册芯片仅仅是个控制器而已,本身内部不走大电流,所以请教一下问题可能原因。

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  • 您好

    已经收到了您的案例,调查需要些时间,感谢您的耐心等待

  • 您好

    感谢配合此次工作。集成电路在室温下不应达到86°C。以下是我对原理图的改进建议:

    我看到REGN连接到了一个5V低功耗稳压器(LDO)。我强烈不建议这样做。你能将LDO从REGN引脚断开吗?

    BTST二极管需采用肖特基二极管。
    如果这些建议有所帮助,请告知。若无帮助,客户能否测量REGN、SW1、SW2和LODRV1的波形?