Original question:
BQ76952: OTP Programing Problem
根据手册进行OTP，开始写入，手册说等待100ms，我延长等待至120ms再去读取，返回0x00或0x04，设备断电在上电发现OTP已经成功了，不是手册所说的0x80，请问为什么出现这个情况
您好
已经收到了您的案例，调查需要些时间，感谢您的耐心等待
还有个问题，就是BQ我已经OTP过了。我多次执行OTP流程，发送OTP_WR_CHECK()；返回是0x80。然后发送OTP_WRITE();等待 120 ms。从 0x40 读取是0x00，我BQ芯片已经OTP了，为什么发送OTP_WR_CHECK()；返回是0x80，重复写入相同的参数，不算第二次写入吗？
https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1563290/bq76952-otp-fail?tisearch=e2e-sitesearch&keymatch=BQ76952%252520%252520OTP%2525200x04%2525200x00#
请您参考着部分帖子说明。
根据您的说明应该是已经完成写入，后面的0x40和0x00表示不能在被写入了。
你好
我给芯片输入电压是12V，在手册要求范围内，如果不满足OTP的条件，那为什么OTP_WR_CHECK()返回是0x80。按照手册返回0x80是可以进行OTP，OTP_WRITE()也给足够时间等待写入，但去读取0x40 是0。我试过去修改配置某个参数值在进行OTP操作，也是遇到以上的问题。如果是因为多次OTP导致不允许写入，OTP_WR_CHECK（）应该返回0x08。
https://www.ti.com/lit/ug/sluuby2b/sluuby2b.pdf?ts=1764636934896
这个有寄存器的详细说明，且OTP是不允许多次写入的。
我的意思是，如果不满足OTP条件，OTP_WR_CHECK()返回不应该是0x80，而是别的位置1，或者字节1,2返回是无法编程地址
4.1 配置进入密封模式的编程步骤 1. 通过读取其中一个已编程寄存器，检查器件上是否已完成 OTP 编程。通电时，寄存器报告默认值或 OTP 中 编程的值（如果 OTP 已编程）。如果尚未完成 OTP 编程，则转至后续步骤。 2. 读取 0x12 电池状态 [SEC1,SEC0] 位，以验证器件是否处于完全访问模式 (0x01)。 3. 如果器件处于完全访问模式，则进入 CONFIG_UPDATE 模式-（子命令 0x0090）。如果未进入该模式，请解 封器件，然后返回步骤二检查器件是否处于完全访问模式。 4. 在数据存储器中配置寄存器设置。 5. 退出 CONFIG_UPDATE 模式 -（子命令 0x0092）。 6. 读取数据存储器寄存器以验证所有参数均已成功写入。 7. 进入 CONFIG_UPDATE 模式。 8. 检查电池状态 [OTPB] 位是否清除，以验证是否满足 OTP 编程条件。 9. 读取 OTP_WR_CHECK()（子命令 0x00A0）。如果返回值为 0x80，则满足 OTP 编程条件。 10. 如果 OTP_WR_CHECK 指示满足条件，则发送 OTP_WRITE() 子命令 (0x00A1)。 11. 等待 100 ms。从 0x40 读取以检查 OTP 编程是否成功（0x80 表示成功）。 12. 进入密封模式。 13. 退出 CONFIG_UPDATE 模式 -（子命令 0x0092）。
现在是第一次进行OTP，BQ按照你的步骤执行，执行到第11步，等待120ms，读取0x40，返回是0x00，我程序认为是OTP失败退出，然后断电在上电，执行第一步，发现已经写入成功了，请问为什么读取0x40，返回是0x00，我给芯片供电电压是11.5V。和你所给的链接中说的情况不太一致 （If the OTP_WR_CHECK() is returning 0 that indicates the stack voltage is too high for OTP programming）
