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请教下，sn27546可以校准电压电流，电流校准后精度没问题，而电压校准后，电压精度偏下限(BQ电压3798mV小于开路电压3800mV)，
这是哪里出问题了，是设备输出不准还是校准方法不对？
你是先校电流再校电压吗？
先校正电流，电池放电，电压下降，停止放电以后电压会有回复，这时校电压电压会不准，需要静置一下。推荐先校电压再校电流。
如果怀疑是设备的问题，你可以用meter量一下校正以后电池的实际输出和设备侦测的输出有没有差异。
hi，star XU1 ，我这里指的是PCM校准，不是pack端
1.校准顺序：CC offset -boardoffset-voltage -current，
2.在电压校准的步骤如下，另外在读取RAM的电压值对时间次数有要求吗 ？
A，在B+,B-提供电压3800mV,为V1
B，从IC RAM读取BQ电压为V2
C，cell电压3800-减去RAM读取电压，为V1-V2
D，V1-V2的差值写入DF，
流程没有问题，可以检查一下，在校准过程中，V2和 v1-V2分别是多少。
V1是否足够稳定
Wang Cheng ,感谢您的回复
我现在遇到的问题时，电流校准后，BQ电压值小于OCV电压值，会有哪些动作会影响校准结果，
读取RAM 电压值的次数&时间有要求吗？
Wang Cheng
请教下，如果BQ电压小于OCV电压，在校准的时候，故意做补偿，得出BQ电压接近OCV电压，这样有问题吗？
@ TI 技术人员
@ Star Xu1，
做校正的目的就是让SBS显示的电压接近OCV的实际电压。
假如OCV,3802mV，校准的时候故意校偏，使得SBS显示3800(正常应为3802mV)，这样有什么影响吗？
影响不大的，比如电池放空的电压设置的3V，实际放空时是3998mV多放电2mV，充饱电压4.2V实际充饱电压4.202V
感谢你的回复！
