下图是TI官方pdf资料里面给出的客户案例,BQ25505的 EN 引脚使能后的时序图。
由图可知,EN低有效后由于VBAT = 3.4V > VBAT_UV,VBAT_SEC和VSTOR是通过MOS管开启实现短接的,那么为何还出现VSTOR > VBAT的那一段?
另外,VIN 初始为1V,芯片使能后给VSTOR充电,应该一直维持在低于1V才对啊?
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下图是TI官方pdf资料里面给出的客户案例,BQ25505的 EN 引脚使能后的时序图。
由图可知,EN低有效后由于VBAT = 3.4V > VBAT_UV,VBAT_SEC和VSTOR是通过MOS管开启实现短接的,那么为何还出现VSTOR > VBAT的那一段?
另外,VIN 初始为1V,芯片使能后给VSTOR充电,应该一直维持在低于1V才对啊?