各位TI的工程师你好
我在学习2013年8月版《德州仪器高性能模拟器件高校应用指南》的7.1.2节时，觉得文中关于升压拓扑结构的说明有误。
文中说正确的MOS接地处是输入电容的地端。
下面是我自己画的BOOST的电流情况，高di/dt回路是开关-二极管-输出电容回路，所以我认为正确的MOS接地处是输出电容的地端。
不知道我这样想对不对，请各位指教，谢谢。
各位TI的工程师你好
我在学习2013年8月版《德州仪器高性能模拟器件高校应用指南》的7.1.2节时，觉得文中关于升压拓扑结构的说明有误。
文中说正确的MOS接地处是输入电容的地端。
下面是我自己画的BOOST的电流情况，高di/dt回路是开关-二极管-输出电容回路，所以我认为正确的MOS接地处是输出电容的地端。
不知道我这样想对不对，请各位指教，谢谢。
按照输入电容和MOS接我画了下图
这样的话，绿色电流的高di/dt会在地中产生一个尖峰电压的干扰。
如果是输出电容和MOS接我画了下图
这样红色和绿色的电流先汇合，然后流入地，这样地中就不会有高di/dt电流了。
