LMG2100R026: LMG2100应用问题

YANG YUE

Prodigy 130 points

Part Number: LMG2100R026

1、合封GaN半桥内部是否集成“栅极”下拉电阻

2、合封GaN半桥内部是否集成体二极管

3、lmg2100内部集成的半桥驱动似乎是非隔离型（内部PGND和AGND有连接），如果要将MCU和功率级完全隔离，需要额外使用数字隔离器传输PWM信号，这种做法是否可行，其间导致的额外的寄生参数，是否会严重削弱合封器件的优势

13 天前

0 Vivian Gao 13 天前

TI__Guru 52310 points

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0 Vivian Gao 10 天前回复 Vivian Gao

TI__Guru 52310 points

1. 这个无法为您确定，但是7.3.2部分有写“LMG2100R026 在 VCC 和 HB（自举）电源上均具有 UVLO。当 VCC 电压低于 3.8V 阈值电压时，HI 和 LI 输入均被忽略，以防止 GaN FET 发生部分导通。此外，如果 VCC 电压不足，则 UVLO 会主动将高侧和低侧 GaN FET 栅极拉低。当 HB 至 HS 自举电压低于 3.2V UVLO 阈值时，仅高侧 GaN FET 栅极被拉低。两个 UVLO 阈值电压均具有 200mV 迟滞以避免抖动。”

https://www.ti.com.cn/cn/lit/ds/symlink/lmg2100r026.pdf

这本质上起到了栅极下拉/防止误开通的作用

2.不含，下方有科普

https://www.ti.com/lit/an/snoaa36/snoaa36.pdf

3.该芯片提供了很多参考设计，您可以看看。

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LMG2100R026: LMG2100应用问题