TPS1212-Q1: TPS1212 驱动躲过MOS的能力

Part Number: TPS1212-Q1
Other Parts Discussed in Thread: TPS28226, UCC27524, UCC27517

hello ,

准备用TPS1212来驱动200A的电流,在这种情况下只能是多个MOS并联,我们初步选的MOSIAUTN08S7N007,并联3MOS

 

Qg=254nc 按照栅极电流最大0.5A来算,  3个并联   Qg(total)=3*254nc=462nC,    trise=Qg(total)/0.5A=924ns

这个上升沿有点长

我的问题

1: 计算方法是否正确

2:  如果不能驱动,那么需要增加什么器件来进行驱动?

谢谢

  • 方向正确(叠加总Qg、除以驱动电流得到粗略充电时间),但结果的可信度完全取决于"0.5A"这个驱动电流数值是否真实可持续,以及Qg测试条件是否匹配实际工况。

    需要更快开通速度(如快速响应短路、极低损耗要求的开关应用, 增加一颗独立高速栅极驱动IC(如UCC27517/UCC27524/TPS28226等),提供安培级驱动电流,TPS1212的GATE只需驱动驱动器输入端(负载很轻).

    需要更慢、更受控的开通(典型热插拔/涌流限制场景,更可能是你的真实需求,不需要额外驱动器,反而应该在GATE与MOS栅极之间串联栅极电阻或增加米勒钳位电容来主动放慢/平滑dV/dt,并同时改善3颗并联MOS的均流一致性

    3颗MOS并联本身的均流/振铃问题(与驱动快慢无关)