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MOSFET内部有寄生电感，同时整个线路上也有寄生电感，请问下有没有公式可以计算出Vds的尖峰大小？
MOSFET的内部寄生电感对整个尖峰的贡献大么？
Haiwen,
这个问题是不是可以等效为计算电感两端的感应电压 UL=L*di/dt
BU的AE说不能用这个公式算，说是没有直接的计算公式，但是我觉得这个公式应该可以啊，所以发个帖讨论下！
记得有个文档讲解我们TI MOS封装的优点，提到了寄生电感对损耗的贡献和计算。
请看在ti官网搜索SLPA009A。貌似没有说尖峰的事。
可以用TINA做仿真看到那个尖峰电压与寄生电感和电容的关系，尖峰是由寄生电感和电容共同决定的。
这个寄生参数太多，建议用仿真来看会更方便
