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BQ30Z55 CUV COV OCC1参数的公差是多少?在规格书哪里有描述?



各位,请教下看看CUV  COV的参数公差是多少?

1、如2750mV,应该是2750+/-50mV还是100mV,有在哪里有描述吗?

2、OCC1 充电过流也是如此,5000mA,应该是5000+/-10mA或者多少?

3、OLD/SCC 这个位置的设置,前4位(电压)后4位(延迟),跟AFE State Control [RSNS] = 0/1有什么关系?该怎么设置?

以上,请各位大哥帮忙解决下,谢谢!

  • 这些参数是设置的进保护的门限值,cell 电压达到CUV设置的值以后CUV旗标会举起,会进入相应的保护。

    AFE State Control [RSNS] = 0/1 对应OLD/SCC 的表格不一样。

    看你设置的电流保护要多大。

    AFE State Control [RSNS] = 0对应的表格OLD/ SCC 的电压是 AFE State Control [RSNS] = 1 对应的表格OLD/SCC的电压的2倍。


  • Dear Xu,我知道CUV这些是设置的门限值,我想知道我设置的2750mV,那么我做规格书的时候,写的话应该是2750mV+/-100mV还是+/-50mV,

    规格书哪里有写这个公差吗?OCC1  OCC2同理。

    第二个,OLD/SCC的设置,0与1是2倍的关系,是在哪里有设置吗?

    是否是Data flash 里SET 里AFE State Control  00,是指延迟和电压都是按0来设置吗??

  • 对于BQ30Z55来说,OV/UV等都是基于软件的保护,所以它的保护精度其实就是你的电压测量精度,一般来讲,电压都是需要经过校正的,那么,典雅精度达到5mV一下是很容易的。所以一般来讲,这些基本上不存在精度问题。

    同理基于软件的保护都是经过校正的,电流的精度在几个mA。

    但是OLD/SCC/SCD等都是基于硬件的保护,模拟的比较器,所以保护的精度更多的是取决于外部采样电阻的精度,因为内部设置都是电压,所以你可以根据外部的电阻精度来进行设置,当然,最后是能够测试一下有一个统计的范围。

    至于设置的话,在setting里面都有相应的设置,建议参考BQ30Z55的技术参考手册里面的相关部分。