您好,初始使用BQ34Z100-G1进行学习,读了一些TI的文献,现有一些疑问:
1、在计算Chemistry ID时,使用Battery management studio的logging功能记录数据,但在记录过程中多次出现error,都是No acknowledge from device,这是什么原因?是否影响最终Chemistry ID计算?
2、在优化Learning cycle中,文献建议充电电流C/2,放电电流C/5。实际电路只能做到充电电流和放电电流大约C/10,这样是否可以?会不会影响学习后的精度?
3、在Learning cycle过程中,是否有必要使用Battery management studio的logging功能记录过程数据?我感觉好像Learning cycle过程就是芯片自己优化data flash寄存器的过程,记录数据是不是无用?
4、完成Learning cycle后,芯片的data flash已经完成优化。但按照文献描述,需要读取出data flash,并对其进行改写,原文如下:
1). IT enable is cleared so that the golden image can be used in mass production flow. 通过命令关闭IT_Enable
2). Impedance Flag and Status are updated to reflect that they are learned values and not defaults. 更改update status从06改为02,对应着关闭IT_Enable
3). Learned Impedance is copied to other R tables. 不明白复制Ra table干什么?
在改写以上内容后,将data flash重新写入芯片中,并生成Golden Image Flie用于生产。我这样的理解是否正确?第三步复制Ra table干什么用?