按照lm5050手册中的典型应用电路做的PCB,现在测试的情况是,LM5050-1针对不同的电源表现出不同的性能,有的电源通电后,LM5050-1就能正常工作,外接的MOSFET的驱动电压达到11V,但是有的电源接上去后,MOSFET源漏极的压差达到0.5V,MOSFET没完全开通,即使通过MOSFET的电流有3A,还是如此。有时候,MOSFET通过0.4A以下的电流,LM5050-1能正常工作,但是电流大一点后,LM5050-1就不能正常工作了。感觉LM5050-1还选择供电电源。
请问TI的工程师这是什么原因导致的呢?
我的电路框图见附件!!
主要是测试当电流从DC/DC流向锂电池组时,LM5050-1能驱动MOSFET开通,将Vsd的压降减小到27mV左右,当锂电池电压高于DC/DC输出电压时,能起到防反灌的作用。
实际测试过程中,用了几个不同的DC/DC,同一个LM5050-1的性能不一样。就是前面说的,有的DC/DC供电时,LM5050-1驱动效果很好,在电流为3A时,MOSFET的Vsd压差只有25mV,驱动端的电压与输入电压的压差达到了11V,但是,有的DC/DC供电时,同一个LM5050-1驱动效果就变很差了,驱动端的电压与输入电压的压差只有1.2V左右,3A时,MOSFET的Vsd压差达到了0.5V。
有的DC/DC供电时,在轻负载,零点几安时,驱动效果还好,MOSFET的Vsd压差25mV,但是到0.5A时,驱动又不行了,只有2A左右,反正MOSFET是没有完全开通,MOSFET的Vsd压差从180mV到500mV不等。
这个情况很是奇怪,这么简单的电路居然这么多问题。