TPS40210带载后频率由230K降到了30K

测试一下是否是OCP电路动作了？ 测试ISNS电压是否超出保护点150mV?

能否提供您的参考电路图，输入电压，输出电压，满载电流等相关参数。

或者您可以下载TI 的Swicherpro软件或者在线WEBENCH进行仿真，以确认参数：www.ti.com.cn/.../homepage.tsp

如何测试OCP电路是否动作？我看SS脚电压约0.6，在上下起伏

2脚波形是一个类似三角波，最小值160mV电压刚充上去就掉下来了，PWM时有时无

Isns的电压确实类似一个三角波，斜向上，超过150mV, 就会造成过电流保护，ss脚电压就会下降。（用示波器测试Isns的波形即可, 应该是最大160mV)

请问您测试时输入电压，以及输出电压电流分别是多少？

我说的是SS脚的波形。。。我看过您的回答，说要在0.7V以上

SS脚的软启动电容是不是要挨得很近，我做的转接板转接的，离得较远，不知道是不是这个原因

4.5V输入12V输出2A

从您的参数以及电路图看，不至于OCP保护，SS脚的电容只是控制软启动时间，即便不要也可以(推荐是需要的).

从您的参数看，输入电压时4.5V，容易造成芯片欠压保护，芯片Vdd电压低于4.5V,芯片就会进入欠压保护，您可以讲输入电压提高到6V，看看输出是否正常(包括频率), layout上要求输入电容尽量靠近芯片Vdd脚，如果提升电压可以正常，您可以在Vdd脚焊接一10uf陶瓷电容，再慢慢降低电压看看效果？（或者测试VDD电压波形，与SS脚波形，以及驱动波形对比，当VDD欠压保护时, SS脚电压开始下降，VDD电压上升后，SS脚电压也上升）

SS脚不接电容，不应该正常，会造成的现象应该是反复循环的启动关断。如果您怀疑是SS电容距离太远，可以再SS脚上焊接一个电容，但是从现象看，不一定会好）， SS脚有电容，会造成芯片慢慢启动，输入电流相对要小一些，如果VDD电容layout不好，造成的现象只是Vdd电压下拉少一点，如果芯片的欠压保护点低一点，确实可能效果好一些。 没有SS电容时，VDD电压下降的多一些，容易造成欠压保护。（欠压保护电压时4~4.5V).

我把芯片VDD单独5V供电，输入4.4V，芯片开始正常工作了，但是带载时还是频率由239KHZ降到34KHZ。。输出直接被拉低到4.4V

非常感谢TI工程师的解答，消除了我很多疑惑，以上问题已经解决，是因为我的Rsns焊接不好，现在面临的问题是12V输出带到20欧姆的载，占空比就满了，96%，导致输出电压被拉下，现在Rsns使用的是10m欧康铜丝电阻

Boost架构的占空比大约是(Vo-Vin+Vd)/(Vo+Vd)=(12-4.5+0.5)/12.5=64%, 算上效率损失，占空比也不足70%.

按照您的设计，FB分压得到700mV,  请确认您的电路。

TPS40210是电流模式控制， 确认一下Isns脚上的RC滤波器，C是220pf尽量靠近芯片脚，R是1k欧姆.

请问此时VIN电压有下降吗？看现象像是功率级上损耗比较大。根据您的参数计算满载时电感电流峰值接近7A，所以二极管明显选小了，MOS管也比较接近其额定电流值了。

MOS管我选择的是TI的CSD17505q5a，二极管是IN5822，应该没有问题吧，感觉消耗在MOS上，但又没怎么发热，会不会是电感问题？电感饱和。。

VIN没有下降。。我也觉得是功率级损耗

VIN电压没有下降，输入没有问题，我也感觉是功率级损耗较大，峰值电流这么大加上这么高的开关频率，会不会是电感损耗，我用0.8的线绕制的

看看您电路的整体效率是多少?  正常而言应该在90%左右，按照您提供的数据，效率还不足70%.

300kHz的开关频率并不算高，附件是按照您的参数仿真出来的电路图，您可以参考（包括参数，另外就是开关电源很注重layout，关于layout您可以参考EVM板.）

您用的磁芯材料是什么？材料也要和您的开关频率匹配。

铁硅铝的不知道行不行

铁硅铝工作到300k应该是可以的。在测试时磁芯温升明显吗？有计算过相应磁通密度吗？

终于发现是冒牌的铁硅铝。。。有很明显的温升，换过之后就好多了，MOS也是转接的，温升明显，我马上做一块贴的，感谢您！期待我的第三版

带载纹波很大，200mV，其他的都还不错

注意输出电容ESR,以及反馈补偿。（参考之前提供的电路即可）