一、我想试试BQ50Z450r1 预充电功能，于是模拟把电芯放时间长了，掉电到2.2-2.4V，
1，Precharge Start Voltage 设置为2.5V，欠压保护2.8V。 ,
2，复位，置顶CHG,DSG，PRECHG 这3个MOS
3，DSG是无法打开，这是正常的，因为电芯电压了。
问题来了：
我既然选择了PCHG FET作预充电MOS，而且目前电芯电压已经掉到Precharge Start Voltage以下的电压，为什么CHG MOS还是能打开。 这样一来，PCHG FET 还有什么用呢。（按道理说，PCHG 跟CHG是不能同时开启的才有意义）
手动是可以关闭CHG FET 的,这时候只有PCHG FET跟限流电阻在小电流充电，但是当电芯都充到3.0V时，CHG FET又不能自动打开。 所以我感觉这很矛盾的，而且这样手动关闭CHG没有意义，终端客户不可能去手动关闭。
终端客户如果拿到电池，放一年多后，假设电芯电压掉到2.0V，首先DSG肯定早关闭了。那么PCHG 跟CHG 又是什么状态呢？如何让电池进入预充电模式，并且只有PCHG在工作，CHG FET只有在电芯电压上升到一定值后再大电流充电，而且PCHG退出预充电模式，并且MOS关闭。(数据手册里面只写了当电芯电压低于多少时进入预充电，没有交代上面预充电 充到什么时候时退出，有主MOS来充电)
二、还发现一个比较烦人的寄存器，CTO—Fast Charge Mode Time Out
所谓的快充 Charge Threshold跟Suspend Threshold 无非是充电时，充电电流超过设定值，关闭 充电， 我开始没注意到这两个东西，偶然用3A大电流给我的电池充电才发现，因为CTO阀值是2.5A，所以充电MOS会在3A时关闭。 那么前面设置最重要的OCC1 跟OCC2 充电过流保护还有啥意义，搞这么多重复的开关，跟捉迷15h，我把它改成2S，也没有发现它作用与哪个功能的延时。
