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各位大神好！ 本人用TPS43061做了一个 输入DC10~18V，输出DC 25.4V/4A 的方案，现在问题是下管温升严重，达到110摄氏度，请问是否我的参数有问题，还是本身这方案不能做到这样的功率，附件原理图
增加下管开关波形图，是否开关波形就存在问题？
你好，
你FET的导通阻抗多大的，驱动电阻也选小点，先上0ohm看看。
Chelsea ：
谢谢你及时回复，我选择的MOSFET都导通阻抗是3mOhm的，但是我用WEBENCH模拟典型电路及模拟温升同样是非常高的，这是什么问题，是否是需要额外增加散热处理？附件是我导出来的报告。驱动电阻在测试过程时也改为0了
那估计本身损耗就会使电路有这么高的温升，所以你可以选更小热阻的MOS（跟封装有关系），或者加大板上的铜厚
Chelsea
你好，请问在BOOST电路中，下管是否都是比上管热的，在相同MOSFET情况下，如果下管并联多一个MOSFET是否会有帮忙，谢谢！
你要看你的占空比，比如输出电压高，下管导通时间长，下管导通损耗会稍稍大些。
并联MOSFET肯定有用，另布线时尽量保证驱动线差不多。
你功率这么大，是要并联mosfet的
你可以计算一下
另外你的开关频率太高了，把开关频率降到200kHz，温度也会降下来一些
是的，降频是可以降低温升，降低频率应也是相应加大电感量是吗？
如果电感电流纹波可以接受，就不需要增加
如果觉着太大，就增加
电感电流耐流需要考虑，不改的话别超了
