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可以的, 只要主回路的MOS能够承受这么大电流,
设计的时候注意MOS驱动如果芯片本省能力不够大, 需要外置FET driver,
SRP SRN 的shunt电阻需要选择小的值,保证压差不超过芯片规定的范围 即可。其他可能就是注意以下大电流突变产生的尖峰,板子上会需要加一些TVS防止过压。
只是例子啊,
超过200A 1, 是选择这个大的MOS , 2, 估算MOS的驱动能力, 选择外置的MOS驱动芯片。 3. 选择采样电阻,考虑SRP SRN不超过芯片引脚范围。