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VBST和SW之间的0.1uF的电容，大小可以更改么，有什么后果。耐压值应该选多少。。
Hi
这个电容是给高边MOS驱动供电的升压chargepum电容，推荐0.1uF, 不建议过大或者过小容易引起驱动一场。（0.1uF附近应该没有问题）
耐压10V就足够。
HI:
有没有更多的理论分析呢，我们的片子，经常坏芯片。纠结中，我们选的封装小了，温度特性，不能和参考物料同等。。
谢谢。
芯片损坏的原因很多，例如温度过高的焊接，ESD，过压，过流等等，这个需要具体问题具体分析。
你需要具体描述你的芯片不良模式，例如是哪个脚烧掉，与那个脚短路之类，以及那个脚阻抗异常了，这些都有助于具体分析。
