Q3的源极和漏极是不是方向反了,还有Q1和Q2为什么使用N型的MOS,应该使用P型MOS的呀!!请工程给我解下
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Q3的源极和漏极是不是方向反了,还有Q1和Q2为什么使用N型的MOS,应该使用P型MOS的呀!!请工程给我解下
Hi
Q1/Q2用PMOS或者是NMOS取决于芯片驱动信号,而这里设计是采用的是2个NMOS.
Q3没有反向,见datasheet第25页。
我想在问下,Q3的Vbatdrvd 驱动电压在4.2到7V之间,Q3的源极电压等于VIN,当负载掉电时电池通过保护二极管供电,Q3的源极电压为电池电压,无论在什么时候Q3的驱动电压都小于源极电压,这样VGS<0V,也就是放这个Pmos管一直是处于导通状态
我在补充下,如上这样的话我想不出Q3在这里有何作用,还不如把Q3给去掉,Vbatrvd脚悬空