• 已锁定 已锁定
  • 个回复 3 个回复
  • 名订阅用户 50 名订阅用户
  • 次查看 8358 次查看
  • 用户 0 名在线用户
选项
选项
相关

This thread has been locked.

If you have a related question, please click the "Ask a related question" button in the top right corner. The newly created question will be automatically linked to this question.

【资料下载+技术问答】工业4.0应用的马达驱动、电源设计、GaN和DLP、3D ToF技术，持续更新中……

TI 管理员
Mastermind 43842 points
Other Parts Discussed in Thread: AMIC110, UCC21520, TPS54202, LMG5200, TIDA-00913, TIDA-00705, UCD3138A, TIDA-01444

2017年9月，TI 举办了“工业4.0及TI 工业应用技术研讨会“。为让关注工业应用的工程师获取更多相关资讯，特别整理了活动现场的培训资料和技术问答，希望能帮到大家。

  

培训资料下载

   

技术问答

(第一波： 9/8日更新)

1. 闭环采用的控制方式什么？

答：分为电流闭环，力矩闭环，位置闭环。变频器行业通常使用V/F控制和矢量FOC控制。

2. 闭环是用的什么调解方式，PID?

答：用的是PI。

3. TI的C2000系列单独就是一个片上系统？

答：可以理解为是的，简单来说是MCU，也可以说是SoC.

4. 在伺服方面一般使用EtherCAT吗？还是说EtherCAT或者ProfiNET均常用？

答：比较流行的是EtherCAT，但其它协议也比较常用。

5. 逆变采用的拓扑是什么？

答：三相半桥

6. 不同协议之间怎么转换？

答：AMIC110可以实现多种协议，它和C2000之间则通过SPI通讯

7. TI 马达驱动芯片是不是根据功率分多种型号呢？

答：小功率（60V以下）可以看DRV系列芯片，高压大功率的可以看TI的半桥驱动芯片

8. 电机驱动器是通过分立组件构建还是集成在 IC 内部？

答：这主要取决于功率大小。TI DRV系列产品有集成MOSFET加驱动方案，如果是大功率，一般是分离方案，驱动和MOSFET或者IGBT分立。

9. PGA411-G1的激励电流是多少? 支持什么编码解码器?

答：激励电流最高为150mA，PGA411-G1支持旋转变压器。

10. PGA411-G1器件是通过正弦波来激励传感器的吗？

答：内部集成DAC和运放，可以输出通用10KHz激励传感器

11. 隔离芯片采用的什么？

答：通信隔离使用ISO77XX产品，IGBT隔离驱动使用UCC53xx系列和UCC21520系列产品。

12. 低电压，低功率的电机需不需要隔离驱动？

答：一般100V以下，都不需要隔离。

  • TI__Prodigy 300 points

    再来一波更新的问答，主要关注于工业电源设计以及氮化镓的分享：

    1. TI现在有氮化镓场管吗，还是只做驱动？
    答：LMG3410集成了GaN管，是驱动和GaN集成的方案。

    2. TPS54202输入电压大于28V没做保护会如何失效？后果怎样？
    答：输入电压最高30V，超过30V，或损坏输入。

    3. 氮化镓导通电阻是多少？
    答：目前TI的GaN LMG5200 80V，导通电阻15mOhm. LMG3410 导通电阻70mOhm

    4. 氮化镓 （GaN）技术现在成熟了吗？还是只是一个试验阶段？
    答：目前已经成熟，用在高驱动频率和小体积，功率密度高的场景。当然，成本还是比MOSFET要高。

    5. 是否可以推荐氮化镓器件选型？
    答：建议关注一下TI 的LMG5200, LMG3410两款器件。

    6. 氮化镓的开关频率能做到多少赫兹？
    答：目前，LMG5200驱动频率可以大于5MHz。

    7. TI的氮化镓现在有解决方案，完整电路设计参考吗？
    答：有的，可以重点关注我们的TIDA-00913。请访问：http://www.ti.com.cn/tool/cn/tida-00913

    8. LMG5200能应用在哪些电路上?
    答：DC-DC变换，直流电机驱动三相桥。

    9. TI氮化镓MOS管对驱动器有何特殊要求？最高工作频率是多少？
    答：目前我们的驱动都集成了，不需要分立驱动方案。工作频率可达5MHz以上

    10. 关于参考设计TIDA-00705(http://www.ti.com.cn/tool/cn/tida-00705)，DC/DC能做到多大功率? 电源体积多大？双向DC/DC是什么拓扑?
    答：这款设计的功率为480W， 输入电压13V-16.4V，峰值效率可达97%；电源体积为27mm*27mm*25mm， 采用的是双相交错的Buck/Boost电路拓扑。

    11. TIDA-00705(http://www.ti.com.cn/tool/cn/tida-00705)的控制器是哪个器件？针对DC/DC部分，TI 有各个电压转换的模块吗？双向是如何实现切换的？
    答：这款设计的控制器是UCD3138A，对于不同的电压转换，需要对电路进行设计方面的调整。双向的实现是通过当检测到12V母线电压降到11.65V以下时开始切换。此款设计主要应用于服务器电源，LES(Local Energy Storage), BBU(Battery Backup Units)等系统。

    12. TIDA-00705(http://www.ti.com.cn/tool/cn/tida-00705)的发热量如何？
    答：这款设计在310W输出，16.4V输入，200LFM风速条件下稳定工作30min，最高温度81.1°C。

    13. 关于参考设计TIDA-01444(http://www.ti.com.cn/tool/cn/tida-01444)，电源体积多大？发热量如何？
    答：这款设计的电源体积为47mm*59mm*11mm，满载100LFM风速条件下最高温度60°C左右。

  • 回复 Karen Liang38
    TI__Prodigy 300 points

    第三波 问答出炉，重点回答大家对应用于工业场景的DLP 技术的问题。

    1. DLP的关键技术是什么?
    答：DMD技术，即数字微镜器件。请参考白皮书：http://www.ti.com.cn/cn/lit/wp/dlpa059b/dlpa059b.pdf

    2. DLP技术有什么优点和缺点？
    答：优势：高分辨率、高亮度、优良的画质、适合多种应用场景。http://www.ti.com.cn/lsds/ti_zh/dlp/display-and-projection/display-and-projection-dlp-advantages.page

    3. 目前有利用DLP 实现的成熟方案吗？
    答：有的，绝大部分数字影院、商务会议、教育行业投影、移动便携式投影采用DLP技术。

    4. DLP技术支持那些分辨率？
    答：支持多种分辨率，具体请访问：http://www.ti.com.cn/lsds/ti_zh/dlp/display-and-projection/display-and-projection-products.page

    5. DLP光谱分析的波长范围多大？
    答：363-2500nm

    6. 投影尺寸是不是想做多大就做多大？
    答：投影尺寸与投影距离成正比，但是画面尺寸越大单位面积上的光的强度越小，人眼感觉越暗。

    7. 现在短焦DLP模组选什么型号？如何购买？可以提供应用资料吗？
    答：请联系光学模组的供应商：http://www.ti.com.cn/lsds/ti_zh/dlp/display-and-projection/pico-chipsets/pico-chipsets-optical-module-manufacturers.page

    8. TI在降低DLP功耗有哪些突破性进展？
    答：整机的功耗大部分是在光源上。最新一代TRP平台能提升20%~30%的光学效率。

  • 回复 Karen Liang38
    TI__Prodigy 300 points

    第四波问答来袭，关于氮化镓（GaN）的深度总结：

    1. Sic可以适用于任何场合吗？

    答： SiC通常用于高压(> 600V)大电流的的场合，而GaN用于低压<600V场合。

     

    2. 氮化镓材料的极限频率是多少？

    答：GaN的最大开关频率取决于额定功率、散热条件和是否实现软开关等。LMG5200和LMG3410最大开关频率分别高达10MHz和1MHz。在实际应用中，最大开关频率随不同应用而变化，受限于开关损耗和热条件。

     

    3. 氮化镓没有反向恢复？

    答：GaN FET本身不具有反向恢复。TI的直接驱动GaN技术不涉及任何Si FET的切换，因此反向恢复损耗为零。

     

    4. 输入有什么方案可以防止过压吗？

    答：目前没有集成过压保护，而GaN不具有崩溃效应。然而，TI GaN的设计比常规Si MOSFET具有更高的击穿电压。我们建议在实际应用中，尽量减小寄生参数，以最大限度地减少电压过冲。

     

    5. 氮化镓晶体管有什么优点？

    答：GaN FET通常具有低导通电阻、低寄生电容和高切换速度。请参考www.ti.com/gan获取详细信息。

     

    6. 把驱动和GaN管集成到一个片子上，安全性上如何保障？TI在隔离高压和抗干扰上做了采取了哪些措施？

    答：1）我们的集成驱动芯片包括过温、过流和UVLO保护，同时驱动芯片靠近栅极和源极。并且我们在设计中进行了HV隔离。2）我们建议在设计时尽量减少电路中的寄生参数。此外，我们会推荐一些滤波方法来抑制高dv/dt引起的噪声问题。

     

    7. 氮化镓的可靠性如何？

    答：TI提出了一种全面的方法保证芯片的可靠性。基于JEDEC plus应用的可靠性用于保证GaN的可靠性。请登录http://www.ti.com/lit/wp/slyy070/slyy070.pdf了解我们的可靠性白皮书

     

    8. TI氮化镓MOS管的特性的离散率多大？

    答：TI的数据表提供了器件特性的变化。请参考我们的数据手册获得关于离散率的更多信息。

     

    9. 氮化镓mos管的功率可以做的多大？

    答：基于GaN的电源功率取决于拓扑结构、额定电压/电流，散热条件、开关频率等。

     

    10. 提高开关频率损耗不会增大么？

    答：这取决于电路拓扑和应用。与Si MOSFET相比，采用相同的拓扑结构和设计参数，我们可以通过GaN实现更小的损耗。这使GaN能够工作在更高的开关频率下。