TPS54331,电源输入由PMOS控制,输入为6S锂电池,最高25.2V。在MOS管打开瞬间,芯片烧坏,烧毁点位于芯片的电源脚输入附近。芯片前输入电容为
68uF/35V电解电容,两个4.7uF/50V的陶瓷电容和一个0.01uF/50V的陶瓷电容。电路如图所示。
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TPS54331,电源输入由PMOS控制,输入为6S锂电池,最高25.2V。在MOS管打开瞬间,芯片烧坏,烧毁点位于芯片的电源脚输入附近。芯片前输入电容为
68uF/35V电解电容,两个4.7uF/50V的陶瓷电容和一个0.01uF/50V的陶瓷电容。电路如图所示。
Hi
用示波器测试Vin,你或发现是MOS开关时造成的spike过压导致芯片烧掉。
注意MOS控制必须采用软开关控制,并且输入走线尽量宽一下,如果输入有导线,在导线到TPS54331的板块的接线上建议增加一个100uF电容,而芯片TPS54331的输入电容尽量靠近芯片输入脚。
上传一下你输入端的上带来瞬间波形,看是否超过芯片最大电压
如果产生的ring很大,建议找一个ESR较大的电解
关于芯片延迟关断: 这个主要看你的MOS的关断速度,假如说MOS关断很快,即使68uF或者100uF也不会有很久的延时,估计在ms级别,具体的你可以用示波器抓取一下