一块板子使用2片TPS54335A设计两路输出,一路输出3.3V;一路输出4V,1.2A。
现在发现有十多片4V输出的芯片PH脚对地短路,对芯片进行FA分析,发现是由于EOS击穿。
请问根据Decap的结果,能不能判断出芯片是由于过电流还是过电压导致的击穿?
根据晶圆上的烧伤痕迹,能否看出是芯片的什么位置烧坏,是内置MOS的栅极还是电流采样被击穿?
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一块板子使用2片TPS54335A设计两路输出,一路输出3.3V;一路输出4V,1.2A。
现在发现有十多片4V输出的芯片PH脚对地短路,对芯片进行FA分析,发现是由于EOS击穿。
请问根据Decap的结果,能不能判断出芯片是由于过电流还是过电压导致的击穿?
根据晶圆上的烧伤痕迹,能否看出是芯片的什么位置烧坏,是内置MOS的栅极还是电流采样被击穿?
hi,
1.
芯片的击穿,直接原因是很高的热量造成的。很高的热量一般有两种可能原因造成:高压+小电流; 低压+大电流 (高压+大电流也可以产生很大的热量,但是在实际的板子上,一般不会产生这个条件)。
从你贴出的图片,不能判断出是哪种情况导致的击穿。
2.
一般情况是POWER FET被击穿,而不是电流采样电路。如果希望得到确切的回答,需要该芯片的DESIGNER对比原始设计,才能给出准确答复。
Jason Wang
hi,
产生EOS损害的原因很多,请找到负责你们的TI FAE, 当面或者通过EMAIL,电话讨论该问题。
hi,
这个信息,我这边确认不了。FA报告是通过谁做的?请发邮件,或电话,向做FA报告的工程师寻求帮助。