1. 使用背对背MOS防止倒灌问题??可行?不行是何原因???
2. 使用光耦合控制 OFF-Pin 来关闭IC可行吗?外部MOS上背的body Diode会影响倒灌电流??那要完全关闭 IC如何实现???预防输出电压/电流倒灌倒输入端,关闭VS-Pin???如何关闭做法?
3. IC GND-Pin外串Diode组件再接到大地 那IC块图内部是如何参考准位???
4. LM5050-1 Gate working Principle, 能解释一下栅极充放电的原理。从方框图来看，栅极放电路径与GND-Pin串一个电阻无关
5. 使用单一个 LM5050-1 取代Diode¸ 那IC是如何保护Load???
