请教:MOSFET的Rds_on导通电阻,怎么测出来?谢谢!
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因为MOS是工作在线性区,所以阻值大小由W/L基本可以决定
数据手册里面也会有标注,或者你就实际测量管子的压降以及电感电流值,即可得出电阻
Hi
一般MOS的datasheet里应该是有测量方式的,或者在Rdson上串联一个电阻,当Vg>Vth时,通过电阻上电流,和MOS的Vds都是很容易测量得到的。
因为你自己就是出规格书的,这个Rds_on就是要自己测出来。MOS管刚流片出来,自己测出数据来,再做DATASHEET。
VDS/IDS,理论是对的!
但是! 随着时间,MOS管温升,Rds_on增大。
你是怎么让MOS管一直保持在25度来测Rds_on。
因为,通电1分钟,通电2分钟,通电3分钟。不同的散热,
Rds_on都是不一样的,随通电时间增长Rds_on变大。
没有散热时,Rds_on会更大。
Rds_on和通电时间,散热都有关系,
你是怎么保证一处在25度,会发热啊,发热后Rds_on就会变大啊。