bq28z610校准电流后Data Memory中Write_All失败

  在这里校准电流之后，才出现的Write_All失败问题。

分别用约180mA、400mA的电流校准都会这样，

之前在bq28z610EVM开发板上面校准没有这样的问题，用我们的主板校准才会出这个问题。

用1A的电流校准也还是Write_All失败，如下图用我们的主板校准电流之后CC Gain为0.754，而用bq28z610EVM开发板校准电流后CC Gain为1.027。