bq34z100,Control Status寄存器的RUP_DIS位

谢谢

您好，我在用BQ34Z100。请问除了您说的自学习方法，是否还有更快捷的方法让BQ34Z100矫正电池的容量。我现在设计一个两串的电池，设计容量26000mAh。现在Full charge Capacity 只有21455mAh 充放了一次也没有改变。是否如您所说应该放光电必须静置5小时再充电方可更新容量值？

假如之前有golden learning过导出生成的senc文件的话，下载这个文件就可以更新矫正电池容量。FCC更新与学习得到的Qmax和R相关，这2个值需要在满足一定条件才能更新(不是每次一次充放电都能更新)，所以建议采用golden learning的流程进行。

能把过程说的具体点吗？我用的是EV2300读写设置的BQ34Z100，规格书和说明上我没找到设置方法。或者您是否有相关的文件能否共享下，谢谢。

  请问下，有bqEVSW软件使用说明吗？golden learning是什么意思呢？没看到这个说法呢。而且bqEVSW读写data flash是不是有什么限制，为什么会出现无法写入的情况呢？你们碰到过没呢？

Golden learning就是指自学习过程，可以参考链接里的文档，会对自学习过程有较清晰的了解。BQEVSW读写data flash没有特别的限制，主要是seal模式和Flash update OK voltage的限制。http://www.ti.com/litv/pdf/slua597

  谢谢，那我先看看文档，那我用软件导入一个.gg文件，开始能写入一两次，之后就无法写入了，这是为什么啊？碰到过这个问题吗？BQ34Z100

   还真的是在学习之前先要将电池放电,将电放到截至电压后,发送IT_enable,然后充电，RUP_DIS位就清零了。这个文档解决了我很多疑问啊，非常感谢。

  请问下，发送I2C COMMAND 00，写入000F进入rom模式读取了.senc文件，然后发送什么命令退出呢？掉电倒是可以实现，不过应该有个对应的命令吧？谢谢

你先确认下ROM模式下，I2C设备地址是不是0B，如果是的话，下载结束后，command 0x00写入0x0F，command 0x64写入0x0F，command 0x65写入0x00，退出后再发送0x41复位命令，延时2~4秒后再读取电压电流等寄存器信息。

   你好，学习中，放电的过程中从100%放电，和文档说的11.1%左右会更新Ra_table，但是在1%的时候呢，Ra_table也能更新，因为slua597.pdf文档中也提到必须要放电到截至电压，那后就放电，但是过了一会儿还没放到截至电压的时候RUP_DIS置位了，是不是表示学习循环也失败了呢，达到截至电压后拔去负载，后面的学习还会继续吗？现在RUP_DIS一直都是1，现在进入松弛状态，不知道是不是意味着今天的学习又白做了。。纠结！

   补充：100%到1%之间开始都没什么问题，Ra_table都能正常更新，之后到截至电压中间RUP_DIS置位了。

    突然RUP_DIS清除了，大概半个小时，现在VOK也清零了，FLAGS的OCVTAKEN置位了。这个正确吗？

请问下，BQ34Z100在学习过程中，update_STATUS的状态变化是怎么样的？发送IT_ENABLE后，update_STATUS=0x04,充满后放置两小时变为0X05，放电至截至电压放置5小时候变为0X06，是不是这样的呢？谢谢

你的理解是对的，在电池放空状态发送IT_ENABLE，充饱后update_status变05说明QMAX更新，放空静止后update_status变06说明内阻做了更新，内阻是在放电过程更新的，充电过程不做更新。

我现在用BQ34Z100检测电池，电池容量是22000mAh,电压是22.2，是6节小电池串联在一起的，然后那个Flash里面Design Capacity和Design Energy这两个值怎么设置啊，他的最大值是 32767 如果按22000mAh算,那Design Energy就超出范围了啊