如上图所示,C403是TPS63051的软启动时间设置电容,参考设计是1nF。
在实际电路测试中发现,上电延迟136μs,冲击电流较大为-1.2~0.8A.如下图所示。
因此,出于物料复用以及降低冲击电流的考虑,将软启动电容调整为常见的0.1μF,调整后,上电延迟1.6ms,冲击电流在400mA。
我想问的是,一般电源芯片的软启动时间是根据数据手册上的公式计算的,也没有范围限制。
软启动电容这样调整为0.1μF是否会对电路造成不利的影响?或者说,软启动电容的容值范围是否有限制?
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如上图所示,C403是TPS63051的软启动时间设置电容,参考设计是1nF。
在实际电路测试中发现,上电延迟136μs,冲击电流较大为-1.2~0.8A.如下图所示。
因此,出于物料复用以及降低冲击电流的考虑,将软启动电容调整为常见的0.1μF,调整后,上电延迟1.6ms,冲击电流在400mA。
我想问的是,一般电源芯片的软启动时间是根据数据手册上的公式计算的,也没有范围限制。
软启动电容这样调整为0.1μF是否会对电路造成不利的影响?或者说,软启动电容的容值范围是否有限制?