关于BQ40Z50-R1中 GasGauging里面Term Voltage 值变化的问题

感谢你的恢复，是的这个值不应该变的，这个负值我是写不进的。可是怎么会变呢？发生了什么使它发生了改变

上面的内容是我们同事说明的，我这里做一些补充说明：

首先在做循环充放电之前，所有的芯片都是seal的，原则上在芯片seal状态下，DataFlash的内容是不可读不可写的，但是却真实的发生了这个问题；

再者，我们使用BQ40Z50近10WPCS，从来没有出现过这个问题，同批次上线进行充放电的电池Pack总共有6000只，是两大盘芯片，两盘的芯片丝印代码不同，所有出现上述改变的芯片都是同一个丝印代码，而另一个丝印代码的Pack没有发生这种情况；刚开始抽样的20只中，有六只出现此问题，后扩大样本量至100只，其中38只出现这个问题，根据统计规律，我们有理由怀疑出现问题的这盘芯片，比例为38%；

第三，我们使用TI的电池管理芯片已近10年，从2060到20Z45一直到40Z50，我们的设计工程师对于这类芯片有足够的经验，我们都清楚，在芯片seal的情况下，芯片DF是不能进行读写的，并且TermVoltage的限值是0~32767，即便我们尝试使用Bqstudio来将该寄存器的值修改为错误的-2560，软件也会提示写入值超出范围，不允许写入；

第四，如果说是因为外部干扰造成DF反转，从而产生的错乱，那么为什么全部都是同一个参数发生改变，并且改变后的值完全一样，这个也解释不过去；

第五，在我们的生产环境、生产工艺、生产流程没有发生任何改变的情况下，同时上线的电池，丝印代码不同，表现情况不同，如果还要我们去自查，道理和逻辑上说不通；

第五，在我们批量生产过程中，确实没有log文件，那么TI在没有log文件的情况下，是否无法对此问题做出分析，也无法给出准确的解答？

基于上述所有情况，请不要再回答我们这个值发生改变是不可能的，理论上正因为我们也觉得是不可能的，所以才百思不得其解，求助无门的情况下，只能寄希望于咱们专业的TI工程师团队能给出解决的办法。此问题已经严重影响到我们的生产发货，希望能够引起足够的重视。