板上用1pcs TPS51200给5pcs DDR4提供VTT端接电平,51200电路如下:
(注:灰色默认空贴)
测试VCC_DDR、VCC_3V3、VTT_DDR、VREF_DDR上电,其中VCC_DDR、VTT_DDR有回沟,波形如下:(黄色是VCC_DDR、红色是VTT_DDR)
查看论坛其他人遇到的类似问题,认为是VTT_DDR负载电容上电瞬间充电电流过大,而VTT_DDR与VCC_DDR又共用地线,导致VCC_DDR上电又跌落,排查单板pcb布局布线,VTT_DDR与VCC_DDR确实共用地线,因此将VTT_DDR负载电容(3个10uF+1个0.1uF)地pin接到其他地平面上,测试波形如下:(黄色是VCC_DDR、灰色是VTT_DDR)
可以看出:VCC_DDR回沟基本消失,但VTT_DDR回沟没有改善,不明白VTT_DDR上电过程中为什么突然会变陡,之前用这颗芯片驱动4pcs DDR3没有遇到这个问题,单板上电容摆放位置及布线也没有发现明显不好的地方,RFOUT输出端10uF电容换成47uF,VTT端电容改为4*47uF电容,才能消掉回沟,但并没有找到根因,请帮忙分析,谢谢。
ps:板上VCC_3V3先于VCC_DDR(1.2V)上电,pcb图如下: