1、我们的方案是使用两片76930一共管理20节电池。低端76930管理低10节，高端76930管理上面10节。充放电MOS由低端76930控制。
2、系统启动时均完成了76930初始化，设置了OV_Trip和ADC_En。
3、在充电过程中高端76930管理的电芯电压超过OV门限时，76930的SysStat寄存器中的OV并没有置位。
4、如果是低端76930管理的电芯电压超过OV门限时，76930的SysStat寄存器的OV有置位。即使手工清除，该76930还是会再次置位。
问题：
76930在置SysStat的OV标记时是否要确认充电MOS已经被其关闭了才会置位？
在我们应用的场景，高端76930不参与控制充电MOS，因此即使出现单体电芯电压过高也不会在其SysStat的OV位置位？
